Rapid Melt Growth of Single Crystal InGaAs on Si Substrates
المؤلفون المشاركون
Bai, Xue
Chen, Chien-Yu
Mukherjee, Niloy
Griffin, Peter B.
Plummer, James D.
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2016، العدد 2016 (31 ديسمبر/كانون الأول 2016)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2016-09-27
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
الملخص EN
InGaAs integration on Si substrates is an important topic for next generation electronic devices.
Rapid melt growth (RMG) has the potential to grow defect-free lattice mismatched materials on Si at low cost.
Most previous publications have focused on growing binary III–V compounds by RMG, but none have discussed ternary compound materials.
In this paper, we demonstrate the RMG of the single crystal ternary compound InGaAs on Si substrates.
We discuss two main issues.
The first is segregation along the stripe length.
An analytical model is developed to describe the segregation of In/Ga in the grown stripe and the model is compared with experimental data.
The second issue is the dissolution of the Si seed region during RMG, which leads to formation of Si islands inside the InGaAs stripe.
The results of this study are applicable to any compound material in which Si is soluble at the elevated temperatures required for RMG.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Bai, Xue& Chen, Chien-Yu& Mukherjee, Niloy& Griffin, Peter B.& Plummer, James D.. 2016. Rapid Melt Growth of Single Crystal InGaAs on Si Substrates. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2016, no. 2016, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1096358
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Bai, Xue…[et al.]. Rapid Melt Growth of Single Crystal InGaAs on Si Substrates. Advances in Materials Science and Engineering No. 2016 (2016), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1096358
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Bai, Xue& Chen, Chien-Yu& Mukherjee, Niloy& Griffin, Peter B.& Plummer, James D.. Rapid Melt Growth of Single Crystal InGaAs on Si Substrates. Advances in Materials Science and Engineering. 2016. Vol. 2016, no. 2016, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1096358
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1096358
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر