![](/images/graphics-bg.png)
Peculiarities of Charge Transfer in SiO2(Ni)Si Nanosystems
المؤلفون المشاركون
Kaniukov, Egor Yu.
Yakimchuk, Dzmitry V.
Bundyukova, Victoria D.
Shumskaya, Alena E.
Amirov, Abdulkarim A.
Demyanov, Sergey E.
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-07-02
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This work is devoted to study the peculiarities of charge transfer in SiO2(Ni)/Si nanosystems formed as a result of the electrochemical deposition of nickel into the pores of the ion-track silicon oxide template on silicon.
Special attention is given to analysis of the results in the context of the band structure and physical properties of dielectric on semiconductor systems with metallic inclusions in the dielectric matrix.
Experimental studies of the current-voltage characteristics of SiO2(Ni)/Si nanostructures demonstrated that value of potential barrier on the Si/metal interface in the pores of the silicon oxide template depended on temperature.
On the basis of these results an interpretation of the charge transfer mechanisms in SiO2(Ni)/Si nanosystems at different temperature ranges was proposed.
In the temperature region of ~300–200 K charge carrier motion occurs through the n-Si with an employment of metallic clusters in pores being in a contact with the semiconductor, by means of the overbarrier emission of electrons from higher energy levels of Si conduction band.
In the lower temperatures (~200-100 K) a current flow takes place only through the semiconductor due to an increase of resistivity on energy barriers n-Si/metal, which leads to a practically complete exclusion of a participation of the metal in the charge transport process.
In the low temperatures (~100–20 K), the variable range hopping conduction between pores on the SiO2/Si boundary, containing localized states, dominates.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kaniukov, Egor Yu.& Yakimchuk, Dzmitry V.& Bundyukova, Victoria D.& Shumskaya, Alena E.& Amirov, Abdulkarim A.& Demyanov, Sergey E.. 2018. Peculiarities of Charge Transfer in SiO2(Ni)Si Nanosystems. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117231
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kaniukov, Egor Yu.…[et al.]. Peculiarities of Charge Transfer in SiO2(Ni)Si Nanosystems. Advances in Condensed Matter Physics No. 2018 (2018), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117231
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kaniukov, Egor Yu.& Yakimchuk, Dzmitry V.& Bundyukova, Victoria D.& Shumskaya, Alena E.& Amirov, Abdulkarim A.& Demyanov, Sergey E.. Peculiarities of Charge Transfer in SiO2(Ni)Si Nanosystems. Advances in Condensed Matter Physics. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117231
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1117231
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)