Thermophysics Simulation of Laser Recrystallization of High-Ge-Content SiGe on Si Substrate
المؤلفون المشاركون
Zhang, Chao
Song, Jianjun
Zhang, Jie
Shu-Lin, Liu
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-08-07
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The high-Ge-content SiGe material on the Si substrate can be applied not only to electronic devices but also to optical devices and is one of the focuses of research and development in the field.
However, due to the 4.2% lattice mismatch between Si and Ge, the epitaxial growth of the high-Ge-content SiGe epitaxial layer directly on the Si substrate has a high defect density, which will seriously affect the subsequent device performance.
Laser recrystallization technique is a fast and low-cost method to effectively reduce threading dislocation density (TDD) in epitaxial high-Ge-content SiGe films on Si.
In this paper, by means of finite element numerical simulation, a 808 nm laser recrystallization thermal physics model of a high-Ge-content SiGe film (for example, Si0.2Ge0.8) on a Si substrate was established (temperature distribution physical model of Si0.2Ge0.8 epitaxial layer under different laser power, Si0.2Ge0.8 epitaxial layer thickness, and initial temperature).
The results of this paper can provide important technical support for the preparation of high-quality high-Ge-content SiGe epilayers on Si substrates by laser recrystallization.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Zhang, Chao& Song, Jianjun& Zhang, Jie& Shu-Lin, Liu. 2018. Thermophysics Simulation of Laser Recrystallization of High-Ge-Content SiGe on Si Substrate. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117279
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Zhang, Chao…[et al.]. Thermophysics Simulation of Laser Recrystallization of High-Ge-Content SiGe on Si Substrate. Advances in Condensed Matter Physics No. 2018 (2018), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117279
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Zhang, Chao& Song, Jianjun& Zhang, Jie& Shu-Lin, Liu. Thermophysics Simulation of Laser Recrystallization of High-Ge-Content SiGe on Si Substrate. Advances in Condensed Matter Physics. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117279
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1117279
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر