![](/images/graphics-bg.png)
First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge4H-SiC Heterojunction
المؤلفون المشاركون
Xu, Bei
Zhu, Changjun
He, Xiaomin
Zang, Yuan
Lin, Shenghuang
Li, Lianbi
Feng, Song
Lei, Qianqian
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-03-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
First-principles calculation is employed to investigate atomic and electronic properties of Ge/SiC heterojunction with different Ge orientations.
Based on the density functional theory, the work of adhesion, relaxation energy, density of states, and total charge density are calculated.
It is shown that Ge(110)/4H-SiC(0001) heterointerface possesses higher adhesion energy than that of Ge(111)/4H-SiC(0001) interface, and hence Ge/4H-SiC(0001) heterojunction with Ge[110] crystalline orientation exhibits more stable characteristics.
The relaxation energy of Ge(110)/4H-SiC(0001) heterojunction interface is lower than that of Ge(111)/4H-SiC(0001) interface, indicating that Ge(110)/4H-SiC(0001) interface is easier to form at relative low temperature.
The interfacial bonding is analysed using partial density of states and total charge density distribution, and the results show that the bonding is contributed by the Ge-Si bonding.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Xu, Bei& Zhu, Changjun& He, Xiaomin& Zang, Yuan& Lin, Shenghuang& Li, Lianbi…[et al.]. 2018. First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge4H-SiC Heterojunction. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117323
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Xu, Bei…[et al.]. First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge4H-SiC Heterojunction. Advances in Condensed Matter Physics No. 2018 (2018), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117323
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Xu, Bei& Zhu, Changjun& He, Xiaomin& Zang, Yuan& Lin, Shenghuang& Li, Lianbi…[et al.]. First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge4H-SiC Heterojunction. Advances in Condensed Matter Physics. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1117323
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1117323
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)