Low Temperature Conductivity in n-Type Noncompensated Silicon below Insulator-Metal Transition
المؤلفون المشاركون
Svito, Ivan A.
Fedotov, Alexander K.
Danilyuk, A. L.
Trafimenko, A. G.
Prischepa, S. L.
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-12، 12ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-02-14
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We investigate the transport properties of n-type noncompensated silicon below the insulator-metal transition by measuring the electrical and magnetoresistances as a function of temperature T for the interval 2–300 K.
Experimental data are analyzed taking into account possible simple activation and hopping mechanisms of the conductivity in the presence of two impurity bands, the upper and lower Hubbard bands (UHB and LHB, resp.).
We demonstrate that the charge transport develops with decreasing temperature from the band edge activation (110–300 K) to the simple activation with much less energy associated with the activation motion in the UHB (28–90 K).
Then, the Mott-type variable range hopping (VRH) with spin dependent hops occurs (5–20 K).
Finally, the VRH in the presence of the hard gap (HG) between LHB and UHB (2–4 K) takes place.
We propose the empiric expression for the low T density of states which involves both the UHB and LHB and takes into account the crossover from the HG regime to the Mott-type VRH with increasing temperature.
This allows us to fit the low T experimental data with high accuracy.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Danilyuk, A. L.& Trafimenko, A. G.& Fedotov, Alexander K.& Svito, Ivan A.& Prischepa, S. L.. 2017. Low Temperature Conductivity in n-Type Noncompensated Silicon below Insulator-Metal Transition. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1121609
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Danilyuk, A. L.…[et al.]. Low Temperature Conductivity in n-Type Noncompensated Silicon below Insulator-Metal Transition. Advances in Condensed Matter Physics No. 2017 (2017), pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1121609
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Danilyuk, A. L.& Trafimenko, A. G.& Fedotov, Alexander K.& Svito, Ivan A.& Prischepa, S. L.. Low Temperature Conductivity in n-Type Noncompensated Silicon below Insulator-Metal Transition. Advances in Condensed Matter Physics. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1121609
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1121609
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر