Research of p-i-n Junctions Based on 4H-SiC Fabricated by Low-Temperature Diffusion of Boron
المؤلفون المشاركون
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2018، العدد 2018 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2018-02-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
الملخص EN
Novel method of boron diffusion at low temperatures between 1150 and 1300°C is used for the formation of both p-i SiC junction and i-region in one technological process.
As the junction formation conditions in this method are essentially different from those in the conventional diffusion (low temperatures and process of diffusion are accompanied by formation of structure defects), it is of special interest to identify advantages and disadvantages of a new method of diffusion.
Developed SiC p-i-n junction diodes have fast switching time, and the duration of the reverse recovery current is less than 10 ns with a breakdown voltage of 120–140 V.
Fabricated diodes possess capability to operate at temperatures up to 300°C.
As the temperature of diffusion process is lower than the melting temperature of silicon, this new technology allows fabrication of diodes on the base of SiC/Si epitaxial structures.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Atabaev, I. G.& Juraev, Kh. N.. 2018. Research of p-i-n Junctions Based on 4H-SiC Fabricated by Low-Temperature Diffusion of Boron. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2018, no. 2018, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1122210
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Atabaev, I. G.& Juraev, Kh. N.. Research of p-i-n Junctions Based on 4H-SiC Fabricated by Low-Temperature Diffusion of Boron. Advances in Materials Science and Engineering No. 2018 (2018), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1122210
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Atabaev, I. G.& Juraev, Kh. N.. Research of p-i-n Junctions Based on 4H-SiC Fabricated by Low-Temperature Diffusion of Boron. Advances in Materials Science and Engineering. 2018. Vol. 2018, no. 2018, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1122210
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1122210
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر