Erratum to “Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors”

المؤلفون المشاركون

Khan, Z. N.
Ahmed, S.
Ali, M.

المصدر

Advances in Materials Science and Engineering

العدد

المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-1، 1ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2017-02-26

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

1

الملخص EN

In the article titled “Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors” [1], there was an error in reference [14] which should be corrected as follows:

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Khan, Z. N.& Ahmed, S.& Ali, M.. 2017. Erratum to “Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors”. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1124360

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Khan, Z. N.…[et al.]. Erratum to “Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors”. Advances in Materials Science and Engineering No. 2017 (2017), pp.1-1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1124360

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Khan, Z. N.& Ahmed, S.& Ali, M.. Erratum to “Electrical Characterization of Postmetal Annealed Ultrathin TiN Gate Electrodes in Si MOS Capacitors”. Advances in Materials Science and Engineering. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1124360

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-1124360