Comparative Simulation Analysis of Process Parameter Variations in 20 nm Triangular FinFET
المؤلفون المشاركون
Gill, Sandeep S.
Shukla, Satyam
Kaur, Navneet
Jatana, H. S.
Nehru, Varun
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-03-21
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Technology scaling below 22 nm has brought several detrimental effects such as increased short channel effects (SCEs) and leakage currents.
In deep submicron technology further scaling in gate length and oxide thickness can be achieved by changing the device structure of MOSFET.
For 10–30 nm channel length multigate MOSFETs have been considered as most promising devices and FinFETs are the leading multigate MOSFET devices.
Process parameters can be varied to obtain the desired performance of the FinFET device.
In this paper, evaluation of on-off current ratio (Ion/Ioff), subthreshold swing (SS) and Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) for different process parameters, that is, doping concentration (1015/cm3 to 1018/cm3), oxide thickness (0.5 nm and 1 nm), and fin height (10 nm to 40 nm), has been presented for 20 nm triangular FinFET device.
Density gradient model used in design simulation incorporates the considerable quantum effects and provides more practical environment for device simulation.
Simulation result shows that fin shape has great impact on FinFET performance and triangular fin shape leads to reduction in leakage current and SCEs.
Comparative analysis of simulation results has been investigated to observe the impact of process parameters on the performance of designed FinFET.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shukla, Satyam& Gill, Sandeep S.& Kaur, Navneet& Jatana, H. S.& Nehru, Varun. 2017. Comparative Simulation Analysis of Process Parameter Variations in 20 nm Triangular FinFET. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1125338
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shukla, Satyam…[et al.]. Comparative Simulation Analysis of Process Parameter Variations in 20 nm Triangular FinFET. Active and Passive Electronic Components No. 2017 (2017), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1125338
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shukla, Satyam& Gill, Sandeep S.& Kaur, Navneet& Jatana, H. S.& Nehru, Varun. Comparative Simulation Analysis of Process Parameter Variations in 20 nm Triangular FinFET. Active and Passive Electronic Components. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1125338
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1125338
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر