CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops
المؤلفون المشاركون
El Wakil, Ahmed
Maundy, Brent
Psychalinos, C.
المصدر
العدد
المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-15، 15ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2017-08-06
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
15
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Two novel nonlinear circuits that exhibit an all-positive pinched hysteresis loop are proposed.
These circuits employ two NMOS transistors, one of which operates in its triode region, in addition to two first-order filter sections.
We show the equivalency to a charge-controlled resistance (memristance) in a decremental state via detailed analysis.
Simulation and experimental results verify the proposed theory.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Maundy, Brent& El Wakil, Ahmed& Psychalinos, C.. 2017. CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops. Complexity،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1143458
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Maundy, Brent…[et al.]. CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops. Complexity No. 2017 (2017), pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1143458
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Maundy, Brent& El Wakil, Ahmed& Psychalinos, C.. CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops. Complexity. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1143458
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1143458
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر