CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops

المؤلفون المشاركون

El Wakil, Ahmed
Maundy, Brent
Psychalinos, C.

المصدر

Complexity

العدد

المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-15، 15ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2017-08-06

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

15

التخصصات الرئيسية

الفلسفة

الملخص EN

Two novel nonlinear circuits that exhibit an all-positive pinched hysteresis loop are proposed.

These circuits employ two NMOS transistors, one of which operates in its triode region, in addition to two first-order filter sections.

We show the equivalency to a charge-controlled resistance (memristance) in a decremental state via detailed analysis.

Simulation and experimental results verify the proposed theory.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Maundy, Brent& El Wakil, Ahmed& Psychalinos, C.. 2017. CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops. Complexity،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1143458

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Maundy, Brent…[et al.]. CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops. Complexity No. 2017 (2017), pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1143458

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Maundy, Brent& El Wakil, Ahmed& Psychalinos, C.. CMOS Realization of All-Positive Pinched Hysteresis Loops. Complexity. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-15.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1143458

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-1143458