The Carrier Transport Properties of B-Doped Si Nanocrystal Films with Various Doping Concentrations
المؤلفون المشاركون
Shan, Dan
Cao, Yunqing
Yang, Ruihong
Wang, Hongyu
Tao, Tao
المصدر
العدد
المجلد 2020، العدد 2020 (31 ديسمبر/كانون الأول 2020)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2020-08-18
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
B-doped hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films with various doping concentrations were prepared by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique.
After thermal annealing, the as-deposited samples, B-doped silicon nanocrystals (Si NCs), were obtained in the films.
The electronic properties of B-doped Si NC films with various doping concentrations combined with the microstructural characterization were investigated.
A significant improvement of Hall mobility rising to the maximum of 17.8 cm2/V·s was achieved in the Si NC film after B doping, which is due to the reduction of grain boundary (GB) scattering in the B-doped samples.
With increasing the doping concentration, it was interesting to find that a metal-insulator transition (MIT) took place in the B-doped Si NC films with high doping concentrations.
The different carrier transport properties in the B-doped Si NC films with various doping concentrations were investigated and further discussed with emphasis on the scattering mechanisms in the transport process.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shan, Dan& Cao, Yunqing& Yang, Ruihong& Wang, Hongyu& Tao, Tao. 2020. The Carrier Transport Properties of B-Doped Si Nanocrystal Films with Various Doping Concentrations. Journal of Nanomaterials،Vol. 2020, no. 2020, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1188399
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shan, Dan…[et al.]. The Carrier Transport Properties of B-Doped Si Nanocrystal Films with Various Doping Concentrations. Journal of Nanomaterials No. 2020 (2020), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1188399
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shan, Dan& Cao, Yunqing& Yang, Ruihong& Wang, Hongyu& Tao, Tao. The Carrier Transport Properties of B-Doped Si Nanocrystal Films with Various Doping Concentrations. Journal of Nanomaterials. 2020. Vol. 2020, no. 2020, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1188399
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-1188399
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر