Growth and Characterization of M-Plane GaN Thin Films Grown on γ-LiAlO2 (100)‎ Substrates

المؤلفون المشاركون

Lin, Yu-Chiao
Lo, Ikai
Shih, Hui-Chun
Chou, Mitch M. C.
Schaadt, D. M.

المصدر

Scanning

العدد

المجلد 2017، العدد 2017 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 1-7، 7ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2017-10-18

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

7

التخصصات الرئيسية

تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب

الملخص EN

M -plane GaN thin films were grown on LiAlO2 substrates under different N/Ga flux ratios by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

An anisotropic growth of M-plane GaN was demonstrated against the N/Ga flux ratio.

As the N/Ga flux ratio decreased by increasing Ga flux, the GaN surface trended to a flat morphology with stripes along [112-0].

According to high-resolution X-ray diffraction analysis, Li5GaO4 was observed on the interface between GaN and LiAlO2 substrate.

The formation of Li5GaO4 would influence the surface morphology and crystal quality.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Lin, Yu-Chiao& Lo, Ikai& Shih, Hui-Chun& Chou, Mitch M. C.& Schaadt, D. M.. 2017. Growth and Characterization of M-Plane GaN Thin Films Grown on γ-LiAlO2 (100) Substrates. Scanning،Vol. 2017, no. 2017, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1197859

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Lin, Yu-Chiao…[et al.]. Growth and Characterization of M-Plane GaN Thin Films Grown on γ-LiAlO2 (100) Substrates. Scanning No. 2017 (2017), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1197859

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Lin, Yu-Chiao& Lo, Ikai& Shih, Hui-Chun& Chou, Mitch M. C.& Schaadt, D. M.. Growth and Characterization of M-Plane GaN Thin Films Grown on γ-LiAlO2 (100) Substrates. Scanning. 2017. Vol. 2017, no. 2017, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1197859

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-1197859