Identification of deep defects by positron annihilation spectroscopy in annealed GaAs thin films
العناوين الأخرى
تحديد العيوب البلورية المتشكلة في عينات ملدّنة من زرنيخ الغاليوم بواسطة مطياف فناء البوزيترونات
المؤلف
المصدر
Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Basic Sciences Series
العدد
المجلد 43، العدد 1 (28 فبراير/شباط 2021)، ص ص. 143-152، 10ص.
الناشر
تاريخ النشر
2021-02-28
دولة النشر
سوريا
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Positron annihilation spectroscopy was applied to investigate the defect properties in GaAs thin films at different annealing temperature.
Positron lifetime and Doppler broadening spectroscopy using mono-energetic positron beam were used to identify the defects in the GaAs films.
Theoretical calculations of the positron lifetime were performed.
DBS measurements showed, that with increasing the annealing temperature increases the deep defect density.
Lifetime measurements confirmed this result.
The decomposition of the lifetime spectra of the samples resulted in the detection of two vacancy-related defects: a vacancy 3 or 3 (annealing temperature is less than 650 K) and a negatively charged vacancy complex (annealing temperature is more than 650 K).
Furthermore, Lifetime measurements interpreted the presence of large cluster of vacancies by the near-surface defective regions.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Dalla, Ayham. 2021. Identification of deep defects by positron annihilation spectroscopy in annealed GaAs thin films. Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Basic Sciences Series،Vol. 43, no. 1, pp.143-152.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1420347
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Dalla, Ayham. Identification of deep defects by positron annihilation spectroscopy in annealed GaAs thin films. Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Basic Sciences Series Vol. 43, no. 1 (2021), pp.143-152.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1420347
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Dalla, Ayham. Identification of deep defects by positron annihilation spectroscopy in annealed GaAs thin films. Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Basic Sciences Series. 2021. Vol. 43, no. 1, pp.143-152.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1420347
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
رقم السجل
BIM-1420347
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر