![](/images/graphics-bg.png)
Subthreshold modeling of dual-halo dual-dielectric triple-material surrounding-gate (DH-DD-TM-SG) MOSFET for improved leakages
المؤلفون المشاركون
Raghav, Ashok Kumar
Sharma, Amit
Gupta, Niraj
Gupta, Rashmi
المصدر
Journal of Engineering Research
العدد
المجلد 8، العدد 2 (30 يونيو/حزيران 2020)، ص ص. 178-190، 13ص.
الناشر
جامعة الكويت مجلس النشر العلمي
تاريخ النشر
2020-06-30
دولة النشر
الكويت
عدد الصفحات
13
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This paper presents a model of subthreshold current and subthreshold swing model for dual-halo dual-dielectric triple-material cylindrical gate all around/surrounding gate (DH-DD-TM-CGAA/SG) MOSFET for improved leakages.
the virtual cathode method is used to derive the current in the subthreshold regime.
the model presented in this paper also incorporates the effect on subthreshold characteristics of the device with variation in radius of silicon pillar and gate oxide thickness.
the channel leakage current is a key metric to evaluate the capability of the device.
the effectiveness of DH-DD-TM-CGAA MOSFET was observed by comparing it with the conventional triple metal structures.
furthermore, the consequence of variation in technology parameter is also studied.
the outcomes of the proposed model depict the cutback in subthreshold channel leakage current as compared to existing triple metal structures.
the analytical results show the excellent agreement with the simulated results.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Raghav, Ashok Kumar& Sharma, Amit& Gupta, Rashmi& Gupta, Niraj. 2020. Subthreshold modeling of dual-halo dual-dielectric triple-material surrounding-gate (DH-DD-TM-SG) MOSFET for improved leakages. Journal of Engineering Research،Vol. 8, no. 2, pp.178-190.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1494948
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Raghav, Ashok Kumar…[et al.]. Subthreshold modeling of dual-halo dual-dielectric triple-material surrounding-gate (DH-DD-TM-SG) MOSFET for improved leakages. Journal of Engineering Research Vol. 8, no. 2 (Jun. 2020), pp.178-190.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1494948
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Raghav, Ashok Kumar& Sharma, Amit& Gupta, Rashmi& Gupta, Niraj. Subthreshold modeling of dual-halo dual-dielectric triple-material surrounding-gate (DH-DD-TM-SG) MOSFET for improved leakages. Journal of Engineering Research. 2020. Vol. 8, no. 2, pp.178-190.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-1494948
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices : p. 190
رقم السجل
BIM-1494948
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)