![](/images/graphics-bg.png)
Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique
العناوين الأخرى
تحديد ملامح الجهد لهياكل إلكترونية مستوية بإستخدام التقنية شبه التحليلية
المؤلفون المشاركون
Dehmas, Mokrane
Yalawi, al-Bashir
Bourdoucen, Hajj
المصدر
The Journal of Engineering Research
العدد
المجلد 7، العدد 1 (30 يونيو/حزيران 2010)، ص ص. 62-69، 8ص.
الناشر
جامعة السلطان قابوس كلية الهندسة
تاريخ النشر
2010-06-30
دولة النشر
سلطنة عمان
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث تم تطوير التقنية شبه التحليلية و المعروفة باسم طريقة الخطوط (MOL) مع مخططات منتظمة و غير منتظمة و ذلك بغرض تحديد ملامح الجهد الساكن لهياكل الكترونية مستوية.
و برغم أن هذه الطريقة معروفة منذ وقت سابق فإنه لا يوجد أبحاث منشورة لتحليل و تحديد ملامح الجهد لنبائط شبه موصلة مستوية.
و يعد الخوارزم المقترح مناسبا لدراسة النبائط الالكترونية قبل تصنيعها حيث أن اغلب تلك النبائط تصنع باستخدام تقنيات مستوية أو شبه مستوية.
و بمقارنة هذه الطريقة بالطرق الشائعة مثل طريقة الفوارق المحدودة و طريقة العناصر المحدودة نجد أن التقنية المقترحة ابسط نسبيا كما أنها أكثر دقة و لا تعاني من مشكلة التقارب مثل الطرق الأخرى.
بالإضافة لما سبق فإن التقنية المقترحة لها طبيعة شبه تحليلية تشمل تخفيض بعد حوسبي واحد مما يسمح بخفض بالغ لكل من ذاكرة و زمن الحساب.
و تم تطبيق الطريقة المقترحة هيكل الكتروني مستوى قياسي و تم توضيح و مناقشة النتائج التي تم الحصول عليها.
الملخص EN
In this paper, a semi-analytical technique known as the Method of Lines (MoL) with uniform and non-uniform discretization schemes is developed.
The aim is to determine static potential profile in planar electronic structures.
Even though this method has been known for some time, there has been reported work on its application to planar semiconductor device analysis for voltage profile determination.
Since most current electronic devices are manufactured using planar and quasi-planar technology, the proposed algorithm is well suited for device analysis prior to fabrication.
Compared with known popular methods such as Finite Difference and Finite Elements methods, the proposed technique is relatively simple, more accurate and unlike other methods, has no convergence problem.
In addition to this, its semi-analytical nature, which consists of reducing one computing dimension, allows saving significant memory and computation time.
Typical planar electronic structures are considered to demonstrate their suitability for these devices, and the obtained results are presented and discussed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Bourdoucen, Hajj& Dehmas, Mokrane& Yalawi, al-Bashir. 2010. Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique. The Journal of Engineering Research،Vol. 7, no. 1, pp.62-69.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-211086
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Dehmas, Mokrane…[et al.]. Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique. The Journal of Engineering Research Vol. 7, no. 1 (Jun. 2010), pp.62-69.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-211086
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Bourdoucen, Hajj& Dehmas, Mokrane& Yalawi, al-Bashir. Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique. The Journal of Engineering Research. 2010. Vol. 7, no. 1, pp.62-69.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-211086
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 69
رقم السجل
BIM-211086
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)