Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique
Other Title(s)
تحديد ملامح الجهد لهياكل إلكترونية مستوية بإستخدام التقنية شبه التحليلية
Joint Authors
Dehmas, Mokrane
Yalawi, al-Bashir
Bourdoucen, Hajj
Source
The Journal of Engineering Research
Issue
Vol. 7, Issue 1 (30 Jun. 2010), pp.62-69, 8 p.
Publisher
Sultan Qaboos University College of Engineering
Publication Date
2010-06-30
Country of Publication
Oman
No. of Pages
8
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم تطوير التقنية شبه التحليلية و المعروفة باسم طريقة الخطوط (MOL) مع مخططات منتظمة و غير منتظمة و ذلك بغرض تحديد ملامح الجهد الساكن لهياكل الكترونية مستوية.
و برغم أن هذه الطريقة معروفة منذ وقت سابق فإنه لا يوجد أبحاث منشورة لتحليل و تحديد ملامح الجهد لنبائط شبه موصلة مستوية.
و يعد الخوارزم المقترح مناسبا لدراسة النبائط الالكترونية قبل تصنيعها حيث أن اغلب تلك النبائط تصنع باستخدام تقنيات مستوية أو شبه مستوية.
و بمقارنة هذه الطريقة بالطرق الشائعة مثل طريقة الفوارق المحدودة و طريقة العناصر المحدودة نجد أن التقنية المقترحة ابسط نسبيا كما أنها أكثر دقة و لا تعاني من مشكلة التقارب مثل الطرق الأخرى.
بالإضافة لما سبق فإن التقنية المقترحة لها طبيعة شبه تحليلية تشمل تخفيض بعد حوسبي واحد مما يسمح بخفض بالغ لكل من ذاكرة و زمن الحساب.
و تم تطبيق الطريقة المقترحة هيكل الكتروني مستوى قياسي و تم توضيح و مناقشة النتائج التي تم الحصول عليها.
Abstract EN
In this paper, a semi-analytical technique known as the Method of Lines (MoL) with uniform and non-uniform discretization schemes is developed.
The aim is to determine static potential profile in planar electronic structures.
Even though this method has been known for some time, there has been reported work on its application to planar semiconductor device analysis for voltage profile determination.
Since most current electronic devices are manufactured using planar and quasi-planar technology, the proposed algorithm is well suited for device analysis prior to fabrication.
Compared with known popular methods such as Finite Difference and Finite Elements methods, the proposed technique is relatively simple, more accurate and unlike other methods, has no convergence problem.
In addition to this, its semi-analytical nature, which consists of reducing one computing dimension, allows saving significant memory and computation time.
Typical planar electronic structures are considered to demonstrate their suitability for these devices, and the obtained results are presented and discussed.
American Psychological Association (APA)
Bourdoucen, Hajj& Dehmas, Mokrane& Yalawi, al-Bashir. 2010. Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique. The Journal of Engineering Research،Vol. 7, no. 1, pp.62-69.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-211086
Modern Language Association (MLA)
Dehmas, Mokrane…[et al.]. Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique. The Journal of Engineering Research Vol. 7, no. 1 (Jun. 2010), pp.62-69.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-211086
American Medical Association (AMA)
Bourdoucen, Hajj& Dehmas, Mokrane& Yalawi, al-Bashir. Determination of potential profile in planar electronic structures using a semi-analytical technique. The Journal of Engineering Research. 2010. Vol. 7, no. 1, pp.62-69.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-211086
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 69
Record ID
BIM-211086