![](/images/graphics-bg.png)
Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material
العناوين الأخرى
تحضير و دراسة خصائص غشاء أوكسيد المغنيسيوم باستخدام تقنية لترسيب بالليزر النبضي
المؤلفون المشاركون
Salim, Evan T.
Muhammad, Farhan A.
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 28، العدد 21 (31 ديسمبر/كانون الأول 2010)10ص.
الناشر
تاريخ النشر
2010-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث، تم تصنيع و دراسة خصائص نبطية نوع (Al / MgO / Si) (MOS) باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي، و لأجل المقارنة تم تصنيع نبطية من نوع ((MOS) Al / SiO2 / Si)، أظهرت النتائج التي تم الحصول عليها أن الخصائص الكهربائية و البصرية للنبائط المحضرة تعتمد بصورة كبيرة على نوع الأوكسيد المستخدم، كذلك أظهرت خصائص سعة-جهد أن النبائط من النوع الحاد.
خصائص الاستجابة الطيفية للنبطية نوع (Al / MgO / Si) كانت حوالي 0.27 A / W بينما للنبطية الثانية نوع (Al / MgO / Si) أقصر من مثيله للنبطية من نوع .(Al / SiO2 / Si)
الملخص EN
In the present work, fabrication and characterization of Al / MgO / Si MOS device has been carried out using PLD as a deposition technique, and for comparison Al/SiO2/Si MOS device has been also constructed.
The obtained result show that , The Electrical and photovoltaic characteristics of MOS device are strongly dependent on the oxide type and thickness, beside that, the C-V measurement reveled that prepared device are of abrupt type.
The Spectral Responsively measurement of (Al / MgO / Si) MOS device is found to be 0.27A/W while of (Al / SiO2 / Si) MOS device is 0.20A/W and the Rise and Response time measurement of (Al / MgO / Si) MOS device was shorter than of (Al / SiO2 / Si) MOS-device.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Salim, Evan T.& Muhammad, Farhan A.. 2010. Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material. Engineering and Technology Journal،Vol. 28, no. 21.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-260245
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Salim, Evan T.& Muhammad, Farhan A.. Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material. Engineering and Technology Journal Vol. 28, no. 21 (2010).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-260245
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Salim, Evan T.& Muhammad, Farhan A.. Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material. Engineering and Technology Journal. 2010. Vol. 28, no. 21.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-260245
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices
رقم السجل
BIM-260245
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)