![](/images/graphics-bg.png)
Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material
Other Title(s)
تحضير و دراسة خصائص غشاء أوكسيد المغنيسيوم باستخدام تقنية لترسيب بالليزر النبضي
Joint Authors
Salim, Evan T.
Muhammad, Farhan A.
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 28, Issue 21 (31 Dec. 2010)10 p.
Publisher
Publication Date
2010-12-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
10
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث، تم تصنيع و دراسة خصائص نبطية نوع (Al / MgO / Si) (MOS) باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي، و لأجل المقارنة تم تصنيع نبطية من نوع ((MOS) Al / SiO2 / Si)، أظهرت النتائج التي تم الحصول عليها أن الخصائص الكهربائية و البصرية للنبائط المحضرة تعتمد بصورة كبيرة على نوع الأوكسيد المستخدم، كذلك أظهرت خصائص سعة-جهد أن النبائط من النوع الحاد.
خصائص الاستجابة الطيفية للنبطية نوع (Al / MgO / Si) كانت حوالي 0.27 A / W بينما للنبطية الثانية نوع (Al / MgO / Si) أقصر من مثيله للنبطية من نوع .(Al / SiO2 / Si)
Abstract EN
In the present work, fabrication and characterization of Al / MgO / Si MOS device has been carried out using PLD as a deposition technique, and for comparison Al/SiO2/Si MOS device has been also constructed.
The obtained result show that , The Electrical and photovoltaic characteristics of MOS device are strongly dependent on the oxide type and thickness, beside that, the C-V measurement reveled that prepared device are of abrupt type.
The Spectral Responsively measurement of (Al / MgO / Si) MOS device is found to be 0.27A/W while of (Al / SiO2 / Si) MOS device is 0.20A/W and the Rise and Response time measurement of (Al / MgO / Si) MOS device was shorter than of (Al / SiO2 / Si) MOS-device.
American Psychological Association (APA)
Salim, Evan T.& Muhammad, Farhan A.. 2010. Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material. Engineering and Technology Journal،Vol. 28, no. 21.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-260245
Modern Language Association (MLA)
Salim, Evan T.& Muhammad, Farhan A.. Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material. Engineering and Technology Journal Vol. 28, no. 21 (2010).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-260245
American Medical Association (AMA)
Salim, Evan T.& Muhammad, Farhan A.. Preparation and characterization of MOS device using MgO film as A dielectric material. Engineering and Technology Journal. 2010. Vol. 28, no. 21.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-260245
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes appendices
Record ID
BIM-260245