Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals
العناوين الأخرى
الأنماء البلوري و الخصائص الكهرابائية اللاتجاهية لبلورات أحادية شالكوجنيدية طبقية من مركب كبريتيد الجاليوم
المؤلف
المصدر
Journal of King Abdulaziz University : Sciences
العدد
المجلد 22، العدد 2 (31 ديسمبر/كانون الأول 2010)، ص ص. 3-12، 10ص.
الناشر
جامعة الملك عبد العزيز مركز النشر العلمي
تاريخ النشر
2010-12-31
دولة النشر
السعودية
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
استهدف البحث دراسة الخواص الكهربائية لعينة بلورية طبقية، و استخدم لذلك بلورات أحادية من مركب كبريتيد الجاليوم تم تحضيرها باستخدام تقنية بريجمان المطورة.
درست الموصلية الكهربائية، و معامل هول لهذا المركب في مدى حراري واسع، و قد أجريت القياسات في اتجاه المحور البلوري (axis c-) و الاتجاه العمودي عليه.
و عن طريق هذه الدراسة أمكن تعيين العناصر الرئيسية لهذا النوع من البلورات الطبقية، مثل اتساع فجوة الطاقة، و تحديد نوعية التوصيل الحادث، والتي وجد أنها تتم بواسطة الثقوب الموجبة، كما تم حساب طاقة تأين الشوائب المستقبلية.
وجد أن الموصلية الكهربائية عند درجة حرارة الغرفة في حدود 1310 أوم -1سم -1، 1210- أوم -1 سم -1 في الاتجاة العمودي و الموازي للمحور البلوري (c-axis) على الترتيب.
أمكن التعرف على ميكانيكية التبعثر الحادث عن طريق دراسة تأثير درجة الحرارة على انسياقية حوامل التيار.
و عن طريق هذه الدراسة، ألقي الضوء على مميزات هذا النوع من أشباه الموصلات، من حساسية شديدة للتأثير الحراري، وكبر مقاومتها الكهربائية، و اتساع فجوة الطاقة، لتفسح المجال للتطبيق العملي المناسب لهذا النوع من البلورات.
و تعتبر هذه الدراسة هي الأولى من نوعها على هذا النوع من البلورات، لتضمنها قياسات في اتجاهين متعامدين للمحور البلوري (c-axis) للخواص الكهربائية.
الملخص EN
Single crystals of GaS were prepared by a modified of Bridgman technique.
Measurements of electrical conductivity and Hall-coefficient are performed in a single crystal GaS parallel and perpendicular to c-axis.
At room temperature the conductivity ratio (σ┴ /σ \ \ ) is equal to ten.
The study covers a wide range of temperature.
It was found that the samples have p-type conductivity.
In the intrinsic conduction region an energy gap of 2.5eV occurred the ionization energy is determined.
Very strong anisotropy in the whole mobility parallel and perpendicular to c-axis was observed.
The scattering mechanism at low and high temperatures is checked.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Arini, Ruqayah Husayn. 2010. Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals. Journal of King Abdulaziz University : Sciences،Vol. 22, no. 2, pp.3-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-264879
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Arini, Ruqayah Husayn. Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals. Journal of King Abdulaziz University : Sciences Vol. 22, no. 2 (2010), pp.3-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-264879
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Arini, Ruqayah Husayn. Growth, characterization and electrical anisotropy in layered chalcogenide gallium monosulphide Single crystals. Journal of King Abdulaziz University : Sciences. 2010. Vol. 22, no. 2, pp.3-12.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-264879
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Include bibliographical references : p. 11
رقم السجل
BIM-264879
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
