![](/images/graphics-bg.png)
Beryllium doped p-type GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
المؤلفون المشاركون
al-Tahtamouni, T. M.
Sedhain, A.
Lin, J. Y.
Jiang, H. X.
المصدر
العدد
المجلد 3، العدد 2 (31 ديسمبر/كانون الأول 2010)، ص ص. 77-81، 5ص.
الناشر
جامعة اليرموك عمادة البحث العلمي و الدراسات العليا
تاريخ النشر
2010-12-31
دولة النشر
الأردن
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The authors report on the growth of Be-doped p-type GaN epilayers by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD).
The electrical and optical properties of the Be-doped GaN epilayers were studied by Hall-effect measurements and photoluminescence (PL) spectroscopy.
The PL spectra of Be-doped GaN epilayers exhibited two emission lines at 3.36 and 2.71 eV, which were absent in undoped epilayers.
The transition at 3.36 eV was assigned to the transition of free electrons to the neutral Be acceptor, Be0.
The transition at2.71 eV was assigned to the transition of electrons bound to deep level donors to the Be0 acceptors.
Three independent measurements: (a) resistivity vs.
temperature, (b) PL peak positions between Be doped and undoped GaN and (c) activation energy of 2.71 eV transition all indicate that the Be energy level is between 120 and 140 meV above the valence band.
This is about 20-40 meV shallower than the Mg energy level (160 meV) in GaN.
It is thus concluded that Be could be an excellent acceptor dopant in nitride materials.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Tahtamouni, T. M.& Sedhain, A.& Lin, J. Y.& Jiang, H. X.. 2010. Beryllium doped p-type GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition. Jordan Journal of Physics،Vol. 3, no. 2, pp.77-81.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-265270
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Tahtamouni, T. M.…[et al.]. Beryllium doped p-type GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition. Jordan Journal of Physics Vol. 3, no. 2 (2010), pp.77-81.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-265270
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Tahtamouni, T. M.& Sedhain, A.& Lin, J. Y.& Jiang, H. X.. Beryllium doped p-type GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition. Jordan Journal of Physics. 2010. Vol. 3, no. 2, pp.77-81.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-265270
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 81
رقم السجل
BIM-265270
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)