Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-znse : zn irradies avec des electrons energetiques
المؤلفون المشاركون
Djouadi, D.
Boughiden, B.
Shilushi, A.
Nedeoglo, D.
المصدر
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
العدد
المجلد 2007، العدد 26 (31 ديسمبر/كانون الأول 2007)، ص ص. 63-68، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2007-12-31
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص FRE
Dans l’intervalle de températures [77…300 K] a été mesurée la mobilité de Hall des électrons d’équilibre et des photoélectrons dans les cristaux de n-ZnSe : Zn irradiés avec un faisceau d’électrons d’énergie E=1,3 MeV et dont la dose d’irradiation varie entre 2,73 1016 et 5.19 1017 électrons / cm2 .
Le comportement de la mobilité des photoélectrons s’explique parfaitement dans le cadre d’un modèle à deux-barrières d’un semi-conducteur inhomogène représentant une matrice faiblement ohmique contenant des inclusions fortement ohmiques (clusters).
En se basant sur les théories de Shik et de Petrossiyan, une expression approximative de la mobilité de Hall a été obtenue.
Il a été montré que ce modèle fonctionne parfaitement pour les petites doses d’irradiation.
Lorsque la dose dépasse une certaine valeur critique (D = 2.98 1017 électrons /cm2) le modèle considéré passe au modèle du potentiel à relief aléatoire.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Djouadi, D.& Boughiden, B.& Shilushi, A.& Nedeoglo, D.. 2007. Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-znse : zn irradies avec des electrons energetiques. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2007, no. 26, pp.63-68.
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نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Djouadi, D.…[et al.]. Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-znse : zn irradies avec des electrons energetiques. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 26 (2007), pp.63-68.
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نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Djouadi, D.& Boughiden, B.& Shilushi, A.& Nedeoglo, D.. Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-znse : zn irradies avec des electrons energetiques. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2007. Vol. 2007, no. 26, pp.63-68.
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نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الفرنسية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 68
رقم السجل
BIM-277919
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