Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-znse : zn irradies avec des electrons energetiques

Abstract FRE

Dans l’intervalle de températures [77…300 K] a été mesurée la mobilité de Hall des électrons d’équilibre et des photoélectrons dans les cristaux de n-ZnSe : Zn irradiés avec un faisceau d’électrons d’énergie E=1,3 MeV et dont la dose d’irradiation varie entre 2,73 1016 et 5.19 1017 électrons / cm2 .

Le comportement de la mobilité des photoélectrons s’explique parfaitement dans le cadre d’un modèle à deux-barrières d’un semi-conducteur inhomogène représentant une matrice faiblement ohmique contenant des inclusions fortement ohmiques (clusters).

En se basant sur les théories de Shik et de Petrossiyan, une expression approximative de la mobilité de Hall a été obtenue.

Il a été montré que ce modèle fonctionne parfaitement pour les petites doses d’irradiation.

Lorsque la dose dépasse une certaine valeur critique (D = 2.98 1017 électrons /cm2) le modèle considéré passe au modèle du potentiel à relief aléatoire.