Structural and electrical properties dependence on annealing temperature of A-GE : SB C-SI heterojunction
العناوين الأخرى
اعتماد الخواص التركيبية و الكهربائية على التلدين للمفرق الهجيني a-Ge : Sb c-Si
المؤلفون المشاركون
Shahab, Aliyah Abd al-Muhsin
Mustafa, Muhammad Hamid
al-Lami, Husayn Khazal Rashid
المصدر
Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science
العدد
المجلد 24، العدد 1 (31 مارس/آذار 2011)7ص.
الناشر
جامعة بغداد كلية التربية ابن الهيثم
تاريخ النشر
2011-03-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث درس تأثير التلدين في الخواص التركيبية لأغشية a-Ge المطعمة ب Sb و الخواص الكهربائية للمفرق الهجيني a-Ge : Sb / c-Si النتائج من ترسيب a-Ge : Sb بطريقة التبخير الحراري على السليكون.
الخواص الكهربائية للمفرق الهجيني تتضمن خصائص التيار–فولتية في حالة الظلام و بدرجات تلدين مختلفة و خصائص سعة–فولتية.
و من خصائص سعة–فولتية تبين الهجيني كان من النوع المنحدر و أن جهد البناء تم تحديده من منحنى الفولتية و مقلوب مربع السعة و تبين أن جهد البناء للمفرق الهجيني يزداد بزيادة درجات حرارة التلدين.
الملخص EN
In this work, we are Study the effect of annealing temperature on the structure of a-Ge films doped with Sb and the electrical properties of a-Ge : Sb / c-Si heterojunction fabricated by deposition of a-Ge : Sb film on c-Si by using thermal evaporation.
Electrical properties of a-Ge : Sb / c-Si heterojunction include I-V characteristics in dark at different annealing temperatures and C-V characteristics and with the C-V characteristics suggest that the fabricated heterojunction was abrupt type, built in potential determined by extrapolation from 1/C2-V curve and show that the built - in potential (Vbi) for the Ge : Sb / Si system increases with the increase of annealing temperatures.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shahab, Aliyah Abd al-Muhsin& al-Lami, Husayn Khazal Rashid& Mustafa, Muhammad Hamid. 2011. Structural and electrical properties dependence on annealing temperature of A-GE : SB C-SI heterojunction. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science،Vol. 24, no. 1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286801
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shahab, Aliyah Abd al-Muhsin…[et al.]. Structural and electrical properties dependence on annealing temperature of A-GE : SB C-SI heterojunction. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science Vol. 24, no. 1 (2011).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286801
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shahab, Aliyah Abd al-Muhsin& al-Lami, Husayn Khazal Rashid& Mustafa, Muhammad Hamid. Structural and electrical properties dependence on annealing temperature of A-GE : SB C-SI heterojunction. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science. 2011. Vol. 24, no. 1.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286801
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-286801
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر