Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction
المؤلفون المشاركون
Kahzahl, Faten Fikri
Abbas, Sad Mutashar
المصدر
Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences
العدد
المجلد 19، العدد 3 (30 سبتمبر/أيلول 2011)، ص ص. 1198-1205، 8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2011-09-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم في هذا البحث دراسة و تحليل و ملاحظة تأثير تغير نسب تطعيم الشوائب المانحة (ND) للسليكون العشوائي على ميكانيكية تيار الوصلة الغير متجانسة اوتيار الخلية من خلال اشتقاق صيغ و معادلات نظرية لمكونات تيار الوصلة غير متجانسة.
و قد وجد أن نسب التطعيم (ND) لا يؤثر على التيار الضوئي الكلي للخلية و أنما يؤثر فقط على ارتفاع حاجز و توزيع شحنات حاجز الجهد و بالتالي سيؤثر على تيار الظلام.
كما وجد أن معظم تيار الظلام هو التيار المتعدد الاختراق خلال المستويات الموقعية عبر فجوة السليكون العشوائي.
و يأتي اعتماد تيار الاختراق (Tunneling current) على مستوي التطعيم للشوائب المانحة (ND), من خلال تغير موقع مستوى (Fermi) مع تغير نسب التطعيم.
الملخص EN
In this paper, the current mechanisms and theoretical performance as solar cell of hydrogenated amorphous silicon / crystalline silicon heterojunction are evaluated also their dependence with the amorphous silicon doping level ND, the interface states density are studied.
We have found that the dominant dark current mechanism is multitunnelling across localized states of amorphous silicon gap, and variation of ND will not affect total photocurrent but affect dark current only.
The dependence of multitunnelling current on doping level comes from the variation of Fermi level position with doping mechanism.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kahzahl, Faten Fikri& Abbas, Sad Mutashar. 2011. Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences،Vol. 19, no. 3, pp.1198-1205.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287813
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kahzahl, Faten Fikri& Abbas, Sad Mutashar. Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences Vol. 19, no. 3 (2011), pp.1198-1205.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287813
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kahzahl, Faten Fikri& Abbas, Sad Mutashar. Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences. 2011. Vol. 19, no. 3, pp.1198-1205.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287813
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices : p. 1204-1205
رقم السجل
BIM-287813
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
