Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction
Joint Authors
Kahzahl, Faten Fikri
Abbas, Sad Mutashar
Source
Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences
Issue
Vol. 19, Issue 3 (30 Sep. 2011), pp.1198-1205, 8 p.
Publisher
Publication Date
2011-09-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
8
Main Subjects
Chemistry
Electronic engineering
Topics
Abstract AR
تم في هذا البحث دراسة و تحليل و ملاحظة تأثير تغير نسب تطعيم الشوائب المانحة (ND) للسليكون العشوائي على ميكانيكية تيار الوصلة الغير متجانسة اوتيار الخلية من خلال اشتقاق صيغ و معادلات نظرية لمكونات تيار الوصلة غير متجانسة.
و قد وجد أن نسب التطعيم (ND) لا يؤثر على التيار الضوئي الكلي للخلية و أنما يؤثر فقط على ارتفاع حاجز و توزيع شحنات حاجز الجهد و بالتالي سيؤثر على تيار الظلام.
كما وجد أن معظم تيار الظلام هو التيار المتعدد الاختراق خلال المستويات الموقعية عبر فجوة السليكون العشوائي.
و يأتي اعتماد تيار الاختراق (Tunneling current) على مستوي التطعيم للشوائب المانحة (ND), من خلال تغير موقع مستوى (Fermi) مع تغير نسب التطعيم.
Abstract EN
In this paper, the current mechanisms and theoretical performance as solar cell of hydrogenated amorphous silicon / crystalline silicon heterojunction are evaluated also their dependence with the amorphous silicon doping level ND, the interface states density are studied.
We have found that the dominant dark current mechanism is multitunnelling across localized states of amorphous silicon gap, and variation of ND will not affect total photocurrent but affect dark current only.
The dependence of multitunnelling current on doping level comes from the variation of Fermi level position with doping mechanism.
American Psychological Association (APA)
Kahzahl, Faten Fikri& Abbas, Sad Mutashar. 2011. Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences،Vol. 19, no. 3, pp.1198-1205.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287813
Modern Language Association (MLA)
Kahzahl, Faten Fikri& Abbas, Sad Mutashar. Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences Vol. 19, no. 3 (2011), pp.1198-1205.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287813
American Medical Association (AMA)
Kahzahl, Faten Fikri& Abbas, Sad Mutashar. Influence of amorphous silicon doping on amorphous crystalline silicon heterojunction. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences. 2011. Vol. 19, no. 3, pp.1198-1205.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-287813
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes appendices : p. 1204-1205
Record ID
BIM-287813
