![](/images/graphics-bg.png)
Electrical and optoelectronic properties ofp-pbse n-si heterojunction
العناوين الأخرى
دراسة الخصائص الكهربائية و الكهروبصرية للمفرق الهجيني ofp-pbse n-si
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 24، العدد 1 (31 ديسمبر/كانون الأول 2005)، ص ص. 21-24، 4ص.
الناشر
تاريخ النشر
2005-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث تم دراسة الخصائص الكهربائية و الكهروبصرية لكاشف المفرق الهجين p-PbSe / n-Si حيث تم دراسة خصائص تيار-جهد عند الظلام و تبين أن له خصائص تقويمية و ذات معامل تقويم منخفض و كذلك أظهرت فولتية انهيار متدرجة في الانحياز العكسي.
و من قياس سعة-جهد.
أوضحت أن المفرق من النوع الحاد و تم حساب جهد البناء الداخلي من خلال أخذ امتداد C2-V إلى النقطة (v = 0) حيث بلغ (2.25V).
تم قياس تيار-جهد في حالة الإضاءة مع الانحياز العكسي، أبدى الكاشف المصنع سلوك خطي مع عدم ملاحظة وجود منطقة تشبع.
الملخص EN
Electrical and optoelectronic properties of p-PbSe / n-Si heterojunction detector have been investigated.
The electrical properties under dark condition show a rectifying behavior with low rectification factor, and exhibits soft breakdown reverse current.
C-V characteristics suggest that the fabricated diode was abrupt type, built in potential determined by extrapolation from C2-V curve to the point (V = 0) and it was equal to (2.25V). Results of I-V characteristics under illumination conditions with reverse bias voltage exhibit linear behavior with no saturation limit.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Nayef, Uday Muhsin. 2005. Electrical and optoelectronic properties ofp-pbse n-si heterojunction. Engineering and Technology Journal،Vol. 24, no. 1, pp.21-24.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293694
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Nayef, Uday Muhsin. Electrical and optoelectronic properties ofp-pbse n-si heterojunction. Engineering and Technology Journal Vol. 24, no. 1 (2005), pp.21-24.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293694
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Nayef, Uday Muhsin. Electrical and optoelectronic properties ofp-pbse n-si heterojunction. Engineering and Technology Journal. 2005. Vol. 24, no. 1, pp.21-24.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-293694
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 24
رقم السجل
BIM-293694
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)