Etching rate enhancement of porous silicon produced by lasers
العناوين الأخرى
تحسين معدل القشط للسيلكون المسامي المنتج بالليزر
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 30، العدد 4 (31 يناير/كانون الثاني 2012)، ص ص. 628-633، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2012-01-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم في بحثنا هذا استخدام ليزرات تعمل بأنماط تشغيل مختلفة في تحضير تراكيب نانوية و مايكروية على سطح مادة السليكون.
عملية تحضير العينات تمت بمرحلتين، الأولى باستخدام ليزر النيديميوم-ياك النبضي لتكوين أسطح ذات تراكيب مختلفة الأحجام بالاعتماد على اختلاف طاقات الليزر (80 - 200) ملي جول.
المرحلة الثانية تم فيها استخدام ليزر الدايود بطول موجي 532 نانومتر و قدرة (50 ملي واط) ذات نمط التشغيل المستمر لحث التفاعل الكيماوي و إحداث عملية التنميش على أسطح مادة السليكون المشععة بالمرحلة الأولى.
تمت دراسة تأثير طبوغرافية السطح على كفاءة عملية التنميش بالاعتماد على صور المجهر الضوئي و صور AFM.
كذلك تمت دراسة خاصية الاستضاءة لعينات السليكون المسامي و التي دلت على وجود علاقة لعملية التنميش بطبيعة السطح.
حيث وجد بان معدل قيمة فجوة الطاقة لتراكيب السليكون النانوية تراوحت بين (2 - 2.1) إلكترون-فولت.
الملخص EN
Two laser systems work with different operational modes have been used to produce silicon nanostructure surfaces.
Pulsed Nd :YAG laser has been employed to produce silicon textured surface which containing nano /microstructures.
Effects of laser energies (80 – 200) mj were examined to produce surface of different structures.
While Diode laser (532 nm) of fixed power (50 mW) was used in the second stage to modify the porous structure over the textured surface.
The effect of different surface morphology on the laser induced etching process was studied using atomic force microscope (AFM) and an image processing program to sketch the surface plot to the samples depending on the optical microscope photos.
The photoluminescence spectra have been utilized to study the nanocrystallite size distribution in porous silicon, it shows high peak position lies in (2 - 2.1) eV.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ibrahim, Muhammad A.. 2012. Etching rate enhancement of porous silicon produced by lasers. Engineering and Technology Journal،Vol. 30, no. 4, pp.628-633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-297056
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ibrahim, Muhammad A.. Etching rate enhancement of porous silicon produced by lasers. Engineering and Technology Journal Vol. 30, no. 4 (2012), pp.628-633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-297056
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ibrahim, Muhammad A.. Etching rate enhancement of porous silicon produced by lasers. Engineering and Technology Journal. 2012. Vol. 30, no. 4, pp.628-633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-297056
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices : p. 631-633
رقم السجل
BIM-297056
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر