Computer simulation model of drift mobility of amorphous silicon different localized states
مقدم أطروحة جامعية
الجامعة
الجامعة التكنولوجية
الكلية
-
القسم الأكاديمي
قسم الهندسة الكهربائية
دولة الجامعة
العراق
الدرجة العلمية
ماجستير
تاريخ الدرجة العلمية
1998
الملخص الإنجليزي
Drift mobility tinkle life time, have an important role in controlling the characteristics of materials and their applications.
In this study a comprehensive computer simulation is developed to calculate the drill mobility for electrons and holes of amorphous silicon, for different localized density of states.
In this study the (S.
G) Current-Control-Type method is used to solve electrons and holes continuity equations and Poisson's equation.
This has been done by performing some manipulation on these equations to suit amorphous silicon.
Different localized density of states has been investigated using the following models : 1.
Asymmetrical Model. 2.
V-Shoped Model.
UiShaped Model. Calculations of the drift mobility for electrons and holes, for different models of localized density of states and for different values of band mobilities have been performed Then the limiting carrier has been specified for each model and then a comparison between the three models has been done.
It was found that the asymmetrical model is the most realistic model, since it is easy to specify the limiting carrier.
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Dafai, Husayn Ali Husayn. (1998). Computer simulation model of drift mobility of amorphous silicon different localized states. (Master's theses Theses and Dissertations Master). University of Technology, Iraq
https://search.emarefa.net/detail/BIM-306202
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Dafai, Husayn Ali Husayn. Computer simulation model of drift mobility of amorphous silicon different localized states. (Master's theses Theses and Dissertations Master). University of Technology. (1998).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-306202
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Dafai, Husayn Ali Husayn. (1998). Computer simulation model of drift mobility of amorphous silicon different localized states. (Master's theses Theses and Dissertations Master). University of Technology, Iraq
https://search.emarefa.net/detail/BIM-306202
لغة النص
الإنجليزية
نوع البيانات
رسائل جامعية
رقم السجل
BIM-306202
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر