Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth
العناوين الأخرى
محاكاة تشكيل السيليكون المهدرج غير المبلور باستخدام طريقة مونتي كارلو
المؤلفون المشاركون
Bouhekka, Ahmad
Kebab, Isa
Sib, Jamal al-Din
Bu Ezem, Yahya
Bin Bekhti, Mariam
Chahed, al-Arabi
المصدر
Arab Journal of Basic and Applied Sciences
العدد
المجلد 12، العدد 0 (31 أكتوبر/تشرين الأول 2012)، ص ص. 11-16، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2012-10-31
دولة النشر
البحرين
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث تمت محاكاة تشكيل أفلام رقيقة من السيليكون المهدرج غير المبلور باستخدام طريقة مونتي كارلو.
لتحديد نمو طبقات الأفلام، اعتمدت طريقة الدراسة على أربع عمليات و هي : عملية التموضع العشوائي لـ (SiH3)، و عملية مغادرة SiH3 للسطح، و عملية نزع الهيدروجين "H" من السطح، و عملية تموضع SiH3 على الروابط غير المكتملة لـ السيليكون.
إن الهدف الأساسي من هذا النموذج هو الحصول على خصائص الحجم (جسم المادة) و السطح المتوقعة لمركبات مثل (a-Si:H) ذات السماكات المختلفة و المنتجة تحت درجات حرارة مختلفة.
إن نتائج هذا البحث تشير إلى أن نسبة الهيدروجين في جسم المادة هي (8-12 %)، كما أن خشونة السطح تزداد بازدياد السمك.
كما أنه وجد بأن نسبة الهيدروجين في السطح هي أكبر منه بكثير في جسم المادة إضافة إلى أن هناك ترابط بين متوسط سماكات أفلام الـ (a-Si:H) و جذور الـ (SiH3) المتدفقة إلى السطح.
الملخص EN
A Monte-Carlo simulation of the growth of hydrogenated amorphous silicon (a-Si : H) thin films deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition technique is presented in this work which is based on four fundamental processes that determine the layer growth : (i) random deposition of SiH3 radicals, (ii) desorption, (iii) ‘‘H’’ abstraction and (iv) sticking on a dangling bond.
The essential goal of the model is to predict the bulk and the surface properties of films (hydrogen content, dangling bonds, surface roughness...) having different thicknesses and deposited at different substrate temperatures.
The effects on the film properties of the incident radical flux of SiH3, directed towards the surface isotropically, on the surface are examined.
A rate of content of hydrogen (8–12 %) in the bulk is found.
We find that surface roughness increases with increasing film thickness, though thin films (<20 mono-layers) have large hydrogen fractions on surface layer with a thickness approximately equal to the surface roughness.
We also find a correlation between the average thickness and the incident radical flux of SiH3.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Bouhekka, Ahmad& Kebab, Isa& Sib, Jamal al-Din& Bu Ezem, Yahya& Bin Bekhti, Mariam& Chahed, al-Arabi. 2012. Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth. Arab Journal of Basic and Applied Sciences،Vol. 12, no. 0, pp.11-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308787
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Bouhekka, Ahmad…[et al.]. Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth. Arab Journal of Basic and Applied Sciences Vol. 12 (Oct. 2012), pp.11-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308787
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Bouhekka, Ahmad& Kebab, Isa& Sib, Jamal al-Din& Bu Ezem, Yahya& Bin Bekhti, Mariam& Chahed, al-Arabi. Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth. Arab Journal of Basic and Applied Sciences. 2012. Vol. 12, no. 0, pp.11-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308787
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 16
رقم السجل
BIM-308787
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر