![](/images/graphics-bg.png)
Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth
Other Title(s)
محاكاة تشكيل السيليكون المهدرج غير المبلور باستخدام طريقة مونتي كارلو
Joint Authors
Bouhekka, Ahmad
Kebab, Isa
Sib, Jamal al-Din
Bu Ezem, Yahya
Bin Bekhti, Mariam
Chahed, al-Arabi
Source
Arab Journal of Basic and Applied Sciences
Issue
Vol. 12, Issue 0 (31 Oct. 2012), pp.11-16, 6 p.
Publisher
University of Bahrain College of Science
Publication Date
2012-10-31
Country of Publication
Bahrain
No. of Pages
6
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تمت محاكاة تشكيل أفلام رقيقة من السيليكون المهدرج غير المبلور باستخدام طريقة مونتي كارلو.
لتحديد نمو طبقات الأفلام، اعتمدت طريقة الدراسة على أربع عمليات و هي : عملية التموضع العشوائي لـ (SiH3)، و عملية مغادرة SiH3 للسطح، و عملية نزع الهيدروجين "H" من السطح، و عملية تموضع SiH3 على الروابط غير المكتملة لـ السيليكون.
إن الهدف الأساسي من هذا النموذج هو الحصول على خصائص الحجم (جسم المادة) و السطح المتوقعة لمركبات مثل (a-Si:H) ذات السماكات المختلفة و المنتجة تحت درجات حرارة مختلفة.
إن نتائج هذا البحث تشير إلى أن نسبة الهيدروجين في جسم المادة هي (8-12 %)، كما أن خشونة السطح تزداد بازدياد السمك.
كما أنه وجد بأن نسبة الهيدروجين في السطح هي أكبر منه بكثير في جسم المادة إضافة إلى أن هناك ترابط بين متوسط سماكات أفلام الـ (a-Si:H) و جذور الـ (SiH3) المتدفقة إلى السطح.
Abstract EN
A Monte-Carlo simulation of the growth of hydrogenated amorphous silicon (a-Si : H) thin films deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition technique is presented in this work which is based on four fundamental processes that determine the layer growth : (i) random deposition of SiH3 radicals, (ii) desorption, (iii) ‘‘H’’ abstraction and (iv) sticking on a dangling bond.
The essential goal of the model is to predict the bulk and the surface properties of films (hydrogen content, dangling bonds, surface roughness...) having different thicknesses and deposited at different substrate temperatures.
The effects on the film properties of the incident radical flux of SiH3, directed towards the surface isotropically, on the surface are examined.
A rate of content of hydrogen (8–12 %) in the bulk is found.
We find that surface roughness increases with increasing film thickness, though thin films (<20 mono-layers) have large hydrogen fractions on surface layer with a thickness approximately equal to the surface roughness.
We also find a correlation between the average thickness and the incident radical flux of SiH3.
American Psychological Association (APA)
Bouhekka, Ahmad& Kebab, Isa& Sib, Jamal al-Din& Bu Ezem, Yahya& Bin Bekhti, Mariam& Chahed, al-Arabi. 2012. Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth. Arab Journal of Basic and Applied Sciences،Vol. 12, no. 0, pp.11-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308787
Modern Language Association (MLA)
Chahed, al-Arabi…[et al.]. Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth. Arab Journal of Basic and Applied Sciences Vol. 12 (Oct. 2012), pp.11-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308787
American Medical Association (AMA)
Bouhekka, Ahmad& Kebab, Isa& Sib, Jamal al-Din& Bu Ezem, Yahya& Bin Bekhti, Mariam& Chahed, al-Arabi. Monte-carlo simulation of hydrogenated amorphous silicon growth. Arab Journal of Basic and Applied Sciences. 2012. Vol. 12, no. 0, pp.11-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-308787
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 16
Record ID
BIM-308787