Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells
العناوين الأخرى
دراسة و تصنيع خلية شمسية عالية الكفاءة نوع SnO2 SiO2 textured (n-Si)
المؤلفون المشاركون
Muhammad, Khalid Khalil
Shakuri, Ghassan Hazim
Jirjis, Ziyad J.
المصدر
al-Rafidain Engineering Journal
العدد
المجلد 20، العدد 3 (30 يونيو/حزيران 2012)، ص ص. 35-43، 9ص.
الناشر
تاريخ النشر
2012-06-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم في هذا البحث تحضير الخلية الشمسية نوع SnO2/SiO2/textured(n-Si)- باستخدام طريقة التبخير الفراغي.
تعتبر مادة الـ SnO2 كمادة مانعة للانعكاس و بنفس الوقت كطبقة نفاذة الضوء.
تلعب مادة الأوكسيد العازلة SiO2 دور مهم في تعزيز قيمة تيار الدائرة القصيرة, فولتية الدائرة المفتوحة, عامل المليء و كفاءة الخلية الشمسية.
كذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير كل من سمك طبقة SiO2, SnO2 و مادة الانديوم.
تم قياس خواص الخلية الشمسية المصنعة و كانت : فولتية الدائرة المفتوحة مساوية لـ 0.646 فولت, تيار الدائرة القصيرة بحدود 29.6 mA, عامل المليء مساويا لـ 0.7 و كفاءة التحويل للخلية بحدود 13.38% عند ظروف إشعاع AM 1.0.
الملخص EN
In this paper a new type of indium doped SnO2 / SiO2 / (textured) n-Si solar cell were prepared by vacuum evaporation source… The SnO2 layer is simultaneously an antireflection coating and a transparent upper contract.
The interfacial layer plays an important role in determining the short circuit current, open circuit voltage, fill factor and efficiency of the cell.
In this paper, the effects of interfacial oxide layer thickness, SnO2 layer thickness, indium layer thickness were studied.
The indium doped SnO2 layer reduces the cell series resistance and hence increase the cell output power, the performance parameters of the fabricated solar cell were as follows : a Voc of 0.646 V, Isc of 29.6 mA cm-2, a fill factor of 0.7 and a conversion efficiency of 13.38 at an AM 1.0 irradiance.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Muhammad, Khalid Khalil& Shakuri, Ghassan Hazim& Jirjis, Ziyad J.. 2012. Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 20, no. 3, pp.35-43.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309732
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Muhammad, Khalid Khalil…[et al.]. Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 20, no. 3 (Jun. 2012), pp.35-43.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309732
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Muhammad, Khalid Khalil& Shakuri, Ghassan Hazim& Jirjis, Ziyad J.. Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells. al-Rafidain Engineering Journal. 2012. Vol. 20, no. 3, pp.35-43.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309732
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 43
رقم السجل
BIM-309732
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر