![](/images/graphics-bg.png)
Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells
Other Title(s)
دراسة و تصنيع خلية شمسية عالية الكفاءة نوع SnO2 SiO2 textured (n-Si)
Joint Authors
Muhammad, Khalid Khalil
Shakuri, Ghassan Hazim
Jirjis, Ziyad J.
Source
al-Rafidain Engineering Journal
Issue
Vol. 20, Issue 3 (30 Jun. 2012), pp.35-43, 9 p.
Publisher
University of Mosul College of Engineering
Publication Date
2012-06-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
9
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تم في هذا البحث تحضير الخلية الشمسية نوع SnO2/SiO2/textured(n-Si)- باستخدام طريقة التبخير الفراغي.
تعتبر مادة الـ SnO2 كمادة مانعة للانعكاس و بنفس الوقت كطبقة نفاذة الضوء.
تلعب مادة الأوكسيد العازلة SiO2 دور مهم في تعزيز قيمة تيار الدائرة القصيرة, فولتية الدائرة المفتوحة, عامل المليء و كفاءة الخلية الشمسية.
كذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير كل من سمك طبقة SiO2, SnO2 و مادة الانديوم.
تم قياس خواص الخلية الشمسية المصنعة و كانت : فولتية الدائرة المفتوحة مساوية لـ 0.646 فولت, تيار الدائرة القصيرة بحدود 29.6 mA, عامل المليء مساويا لـ 0.7 و كفاءة التحويل للخلية بحدود 13.38% عند ظروف إشعاع AM 1.0.
Abstract EN
In this paper a new type of indium doped SnO2 / SiO2 / (textured) n-Si solar cell were prepared by vacuum evaporation source… The SnO2 layer is simultaneously an antireflection coating and a transparent upper contract.
The interfacial layer plays an important role in determining the short circuit current, open circuit voltage, fill factor and efficiency of the cell.
In this paper, the effects of interfacial oxide layer thickness, SnO2 layer thickness, indium layer thickness were studied.
The indium doped SnO2 layer reduces the cell series resistance and hence increase the cell output power, the performance parameters of the fabricated solar cell were as follows : a Voc of 0.646 V, Isc of 29.6 mA cm-2, a fill factor of 0.7 and a conversion efficiency of 13.38 at an AM 1.0 irradiance.
American Psychological Association (APA)
Muhammad, Khalid Khalil& Shakuri, Ghassan Hazim& Jirjis, Ziyad J.. 2012. Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 20, no. 3, pp.35-43.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309732
Modern Language Association (MLA)
Muhammad, Khalid Khalil…[et al.]. Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 20, no. 3 (Jun. 2012), pp.35-43.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309732
American Medical Association (AMA)
Muhammad, Khalid Khalil& Shakuri, Ghassan Hazim& Jirjis, Ziyad J.. Study and fabrication of high efficiency indium doped SnO2 SiO2 n–Si solar cells. al-Rafidain Engineering Journal. 2012. Vol. 20, no. 3, pp.35-43.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-309732
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 43
Record ID
BIM-309732