Gamma irradiation effect on bipolar junction transistor BC107
المؤلفون المشاركون
al-Sharbaty, Hassan M. Jawad
Ibrahim, Rania al-Jali Ali
المصدر
Sudan Journal of Basic Sciences. |n Series : Physical Sciences
العدد
المجلد 2005، العدد 2005 (31 ديسمبر/كانون الأول 2005)، ص ص. 145-156، 12ص.
الناشر
معهد السودان للعلوم الطبيعية وحدة التأليف و النشر
تاريخ النشر
2005-12-31
دولة النشر
السودان
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
Gamma radiation has been found to seriously change the electronic properties of a semiconductor, leading to possible systems failer.
In this study, the effect of low gamma radiation doses on NPN bipolar junction transistors was studied.
Transistors of the same commercial type BC107 were exposed to different gamma doses.
The collector current was found to increase rapidly and then mildly as a function of the output voltage for a constant base current.
The collector current was found to increase as the base current increases for a constant The effect of gamma radiation is to decrease the collector current, due to the trapping of the free carriers in the interface of the transistor.
The voltage gain was found to decrease slightly as the doses increase at a given frequency and to decrease rapidly as the frequency increases.
These effects can be due to the production and trapping of the holes in the base region.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Sharbaty, Hassan M. Jawad& Ibrahim, Rania al-Jali Ali. 2005. Gamma irradiation effect on bipolar junction transistor BC107. Sudan Journal of Basic Sciences. |n Series : Physical Sciences،Vol. 2005, no. 2005, pp.145-156.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-310845
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Sharbaty, Hassan M. Jawad& Ibrahim, Rania al-Jali Ali. Gamma irradiation effect on bipolar junction transistor BC107. Sudan Journal of Basic Sciences. |n Series : Physical Sciences (2005), pp.145-156.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-310845
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Sharbaty, Hassan M. Jawad& Ibrahim, Rania al-Jali Ali. Gamma irradiation effect on bipolar junction transistor BC107. Sudan Journal of Basic Sciences. |n Series : Physical Sciences. 2005. Vol. 2005, no. 2005, pp.145-156.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-310845
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 156
رقم السجل
BIM-310845
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر