![](/images/graphics-bg.png)
Comparison I-V characteristics of Sbc-Si and Alc-Si junction
العناوين الأخرى
مقارنة خصائص تيار-جهد لمفرق Alc-Si و Sbc-Si
المؤلفون المشاركون
al-Ansari, Ramiz Ahmad Muhammad
al-Lami, Husayn Khazal Rashid
Hajim, Fatin Kasid
المصدر
Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science
العدد
المجلد 26، العدد 1 (30 إبريل/نيسان 2013)، ص ص. 153-158، 6ص.
الناشر
جامعة بغداد كلية التربية ابن الهيثم
تاريخ النشر
2013-04-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم تحضير مفرق هجين من ترسيب أغشية الانتيمون و الألمنيوم على رقائق من السيلكون أحادي البلورة n-type بطريقة الترسيب بالفراغ بسمك (0.25 μm) و بمعدل ترسيب 2.77 Å/sec, ثم لدنت العينات بدرجة حرارة 473 K مدة ساعة واحدة.
أظهرت الفحوصات إن جميع أغشية الانتيمون ذو تركيب متعددة التبلور, و وجد ارتفاع حاجز الجهد في مفرق 825 eV Sb/c-Si.
لمفرق Al/c-Si لوحظ أن قياس خواص I-V كانت أومية و فسر ذلك لعدم وجود حاجز جهد من Si, Al.
الملخص EN
Hetero junctions are fabricated by depositing antimony (Sb) and Al films on n-type single crystal(c-Si) wafers by the method of vacuum evaporation with thickness (0.25μm), with rate of deposition equals to 2.77 Å / sec, all samples are annealed in a vacuum for one hour at 473K.
The tests have shown that all the films have polycrystalline structure for all Sb films.
The barrier heights in (Sb / c-Si) junction were found to be equal 0.825eV, but (Al / c-Si) junction ohmic contact.
Current-voltage measurements confirm this behavior.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hajim, Fatin Kasid& al-Ansari, Ramiz Ahmad Muhammad& al-Lami, Husayn Khazal Rashid. 2013. Comparison I-V characteristics of Sbc-Si and Alc-Si junction. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science،Vol. 26, no. 1, pp.153-158.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-337096
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hajim, Fatin Kasid…[et al.]. Comparison I-V characteristics of Sbc-Si and Alc-Si junction. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science Vol. 26, no. 1 (Apr. 2013), pp.153-158.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-337096
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hajim, Fatin Kasid& al-Ansari, Ramiz Ahmad Muhammad& al-Lami, Husayn Khazal Rashid. Comparison I-V characteristics of Sbc-Si and Alc-Si junction. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science. 2013. Vol. 26, no. 1, pp.153-158.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-337096
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendix : p. 156-157
رقم السجل
BIM-337096
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)