Reparation and properties of nanostructure zinc oxide thin films

العناوين الأخرى

تحضير و دراسة خواص التركيب النانوي لأغشية أوكسيد الخارصين الرقيقة

المؤلفون المشاركون

Said, Nada Muhammad
Suhayl, Abd Allah Muhsin

المصدر

Iraqi Journal of Physics

العدد

المجلد 7، العدد 8 (30 إبريل/نيسان 2009)، ص ص. 75-81، 7ص.

الناشر

جامعة بغداد كلية العلوم

تاريخ النشر

2009-04-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

7

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

الملخص AR

يعتبر أكسيد الخارصين (ZnO) نموذج من إحدى أشباه الموصلات ضمن المجموعة II-VI و التي لها مدى واسع في التركيب النانومتري (Nanostructures).

في هذا البحث، تم تحضير أغشية رقيقة من أكسيد الخارصين المتعدد التبلور على أرضية زجاجية بدرجة حرارة أساس 400℃ و ذلك باستعمال تقنية الرش الكيماوي الحراري، تم تحضير محلول الرش من كلوريد الخارصين بمولارية مقداره 0.1 M / L.

تم دراسة و مناقشة خواص و تركيب الأغشية المحضرة حيث تم فحص الأغشية المحضرة بواسطة حيود الأشعة السينية و من تحليل النتائج تبين أن جميع الأغشية المحضرة هي نوع متعددة التبلور.

(Polycrystalline)، تم حساب الحجم الحبيبي لها عند الاتجاه (002) و كانت قيمته 27.9.

و من دراسة الخواص الكهربائية (و التي شملت قياسات تأثير هول و التوصيلية الكهربائية) تبين بأن الغشاء نوع n-type.

تم دراسة الخواص البصرية لأغشية ZnO باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية المرئية و فوق البنفسجية VIS-UV.

اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية و النفاذية للأغشية المحضرة لمدى الأطوال الموحية 300-1100 nm، أظهرت الدراسة البصرية بأن معدل النفاذية يقترب من 55 % عند المدى المرئي.

تم حساب معامل الانكسار كدالة لطاقة الفوتون عند الأطوال الموحية المذكورة.

تم أيضا حساب قيم فجوة الطاقة البصرية و كانت قيمتها للانتقال الإلكتروني المباشر المسموح 3.3 eV و للانتقال الإلكتروني الغير مباشر 3.1 eV.

الملخص EN

Zinc Oxide (ZnO) is probably the most typical II-VI semiconductor, which exhibits a wide range of nanostructures.

In this paper, polycrystalline ZnO thin films were prepared by chemical spray pyrolysis technique, the films were deposited onto glass substrate at 400 °C by using aqueous zinc chloride as a spray solution of molar concentration of 0.1 M / L.

The crystallographic structure of the prepared film was analyzed using X-ray diffraction ; the result shows that the film was polycrystalline, the grain size which was calculated at (002) was 27.9 nm.

The Hall measurement of the film studied from the electrical measurements show that the film was n-type.

The optical properties of the film were studied using measurements from VISUV spectrophotometer at wavelength range (300-1100) nm ; the optical characterization shows that the films have an average transmittance 55 % in the VIS regions.

The refractive index was calculated as a function of the photon energy, also the calculated optical energy gap was 3.3 eV and 3.1 eV for direct and indirect allowed transition respectively.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Said, Nada Muhammad& Suhayl, Abd Allah Muhsin. 2009. Reparation and properties of nanostructure zinc oxide thin films. Iraqi Journal of Physics،Vol. 7, no. 8, pp.75-81.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338102

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Said, Nada Muhammad& Suhayl, Abd Allah Muhsin. Reparation and properties of nanostructure zinc oxide thin films. Iraqi Journal of Physics Vol. 7, no. 8 (2009), pp.75-81.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338102

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Said, Nada Muhammad& Suhayl, Abd Allah Muhsin. Reparation and properties of nanostructure zinc oxide thin films. Iraqi Journal of Physics. 2009. Vol. 7, no. 8, pp.75-81.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338102

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 81

رقم السجل

BIM-338102