Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films
العناوين الأخرى
دراسة الصفات الإلكترونية و تأثير هول لأغشية a-Si1-xGex : H الرقيقة
المؤلفون المشاركون
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad
al-Lami, Husayn Khazal Rashid
Maqqadi, Matti Nasir
المصدر
العدد
المجلد 7، العدد 10 (30 سبتمبر/أيلول 2009)، ص ص. 24-29، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2009-09-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
درست الصفات الإلكترونية و تأثيره هول لأغشية H : a – Si-xGex الرقيقة ذات السمك كالتوصيلية لبستمرة و طاقة التنشيط و معامل هول (تحت مجال مغناطيسي 350nm) لقياس كثافة الحاملات كالألمترونات و الفجوات و تحركية كدالة لنسب الجرمانيوم (x = 0 – 1) و درجة الترسيب K (303 – 503) و تركيز التطعيم ل Al و As بمدى (0 – 3.5 %).
تم تحديد التركيب للسبائك و الأغشية بواسطة مطياف التشتت الطاقي (EDS) و مطيافية الإلكترون الضوئي (XPS).
أوضحت هذه الدراسة أن التوصيلية المستمرة لأغشية H : a – Si-xGex تزداد بزيادة نسبة الجرمانيوم و التطعيم بينما تقل طاقة التنشيط للتوصيلية كما تزداد كثافة الحاملات (الإلكترونات و الفجوات) للأغشية المحضرة مع زيادة نسب الجرمانيوم و التطعيم و درجة حرارة الترسيب.
تزداد التحركية و طاقة التنشيط للتحركية مع زيادة نسب الجرمانيوم كما آت عرض المستويات الموضعية هي 0.215 eV لغشاء H : a – Si1-0.5Ge0.5 و المرسب عند 503K.
الملخص EN
The electronic properties and Hall effect of thin amorphous Si1-xGex:H films of thickness (350 nm) have been studied such as dc conductivity, activation energy, Hall coefficient under magnetic field (0.257 Tesla) for measuring carrier density of electrons and holes and Hall mobility as a function of germanium content (x = 0–1), deposition temperature (303-503) K and dopant concentration for Al and As in the range (0-3.5)%.
The composition of the alloys and films were determined by using energy dispersive spectroscopy (EDS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
This study showed that dc conductivity of a-Si1-xGex:H thin films is found to increase with increasing Ge content and dopant concentration, whereas conductivity activation energy decreases with increasing Ge content and dopant concentration.
The carrier density (electrons and holes) of prepared films increases with increasing Ge content, dopant concentration and deposition temperature.
The mobility and the mobility activation energy increase with increasing Ge content.
The width of localized state is 0.215 eV for a- Si0.5Ge0.5:H thin film deposited at 503 K.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad& Maqqadi, Matti Nasir& al-Lami, Husayn Khazal Rashid. 2009. Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films. Iraqi Journal of Physics،Vol. 7, no. 10, pp.24-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338441
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad…[et al.]. Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films. Iraqi Journal of Physics Vol. 7, no. 10 (2009), pp.24-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338441
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad& Maqqadi, Matti Nasir& al-Lami, Husayn Khazal Rashid. Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films. Iraqi Journal of Physics. 2009. Vol. 7, no. 10, pp.24-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338441
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 29
رقم السجل
BIM-338441
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر