Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films
Other Title(s)
دراسة الصفات الإلكترونية و تأثير هول لأغشية a-Si1-xGex : H الرقيقة
Joint Authors
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad
al-Lami, Husayn Khazal Rashid
Maqqadi, Matti Nasir
Source
Issue
Vol. 7, Issue 10 (30 Sep. 2009), pp.24-29, 6 p.
Publisher
University of Baghdad College of Science
Publication Date
2009-09-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
6
Main Subjects
Topics
Abstract AR
درست الصفات الإلكترونية و تأثيره هول لأغشية H : a – Si-xGex الرقيقة ذات السمك كالتوصيلية لبستمرة و طاقة التنشيط و معامل هول (تحت مجال مغناطيسي 350nm) لقياس كثافة الحاملات كالألمترونات و الفجوات و تحركية كدالة لنسب الجرمانيوم (x = 0 – 1) و درجة الترسيب K (303 – 503) و تركيز التطعيم ل Al و As بمدى (0 – 3.5 %).
تم تحديد التركيب للسبائك و الأغشية بواسطة مطياف التشتت الطاقي (EDS) و مطيافية الإلكترون الضوئي (XPS).
أوضحت هذه الدراسة أن التوصيلية المستمرة لأغشية H : a – Si-xGex تزداد بزيادة نسبة الجرمانيوم و التطعيم بينما تقل طاقة التنشيط للتوصيلية كما تزداد كثافة الحاملات (الإلكترونات و الفجوات) للأغشية المحضرة مع زيادة نسب الجرمانيوم و التطعيم و درجة حرارة الترسيب.
تزداد التحركية و طاقة التنشيط للتحركية مع زيادة نسب الجرمانيوم كما آت عرض المستويات الموضعية هي 0.215 eV لغشاء H : a – Si1-0.5Ge0.5 و المرسب عند 503K.
Abstract EN
The electronic properties and Hall effect of thin amorphous Si1-xGex:H films of thickness (350 nm) have been studied such as dc conductivity, activation energy, Hall coefficient under magnetic field (0.257 Tesla) for measuring carrier density of electrons and holes and Hall mobility as a function of germanium content (x = 0–1), deposition temperature (303-503) K and dopant concentration for Al and As in the range (0-3.5)%.
The composition of the alloys and films were determined by using energy dispersive spectroscopy (EDS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
This study showed that dc conductivity of a-Si1-xGex:H thin films is found to increase with increasing Ge content and dopant concentration, whereas conductivity activation energy decreases with increasing Ge content and dopant concentration.
The carrier density (electrons and holes) of prepared films increases with increasing Ge content, dopant concentration and deposition temperature.
The mobility and the mobility activation energy increase with increasing Ge content.
The width of localized state is 0.215 eV for a- Si0.5Ge0.5:H thin film deposited at 503 K.
American Psychological Association (APA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad& Maqqadi, Matti Nasir& al-Lami, Husayn Khazal Rashid. 2009. Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films. Iraqi Journal of Physics،Vol. 7, no. 10, pp.24-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338441
Modern Language Association (MLA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad…[et al.]. Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films. Iraqi Journal of Physics Vol. 7, no. 10 (2009), pp.24-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338441
American Medical Association (AMA)
Ilyas, Mahasin Faysal Ahmad& Maqqadi, Matti Nasir& al-Lami, Husayn Khazal Rashid. Study of the electronic properties and hall effect of amorphous Si1 xGex : H thin films. Iraqi Journal of Physics. 2009. Vol. 7, no. 10, pp.24-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338441
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 29
Record ID
BIM-338441
