Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers
المؤلفون المشاركون
Isa, S. I.
Hasan, R. M.
Mashari, C. A.
المصدر
Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences
العدد
المجلد 20، العدد 5 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1621-1633، 13ص.
الناشر
تاريخ النشر
2012-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
13
التخصصات الرئيسية
الملخص AR
بالاستناد على نظرية تذبذبات الاسترخاء في ليزر النقاط الكمية (QDs) لشبه الموصل القائمة على رؤية مجهريه من قبل K.
Ludge و مشاركيها (2008) كنموذج أساسي استخدم في هذا العمل.
نقدم صيغ جديد لمعدلات الاستطارة اللاخطية من خلال استخدام دوال المنحنى الملائمة.
يمكننا أن نناقش تأثير القيم المختلفة لكثافة QD على حركية خرج الليزر بشكل مفصل من خلال نتائج النظرية.
أخذت دراستنا بنظر الاعتبار اعتماد معدلات استطارة حامل-حامل على تيار الحقن.
قدمنا محاكاة نظرية لخصائص و حركيات بدء التشغيل لفعل الليزر الناتج من ليزر النقطة الكمية QD لشبه الموصل نوع InAs / GaAs النبضي بطول موجة µm 1,3 عند درجة الحرارة الغرفة.
الملخص EN
Based on the relaxation oscillations theory in semiconductor lasers of Quantum dots (QDs) based on a microscopic approach by K.
Lüdge et.al (2008) as a basic model used in this work.
We introduce a new expression of nonlinear scattering rates by using the curve fitting functions.
We can discuss the influence of different values of the QD density upon the dynamic of laser output in detail of our simulations results.
By taking into account, we study the dependence of the carrier-carrier scattering rates on the injection current.
We present a theoretical simulation of characteristics and the turn-on dynamics of InAs / GaAs semiconductor QD laser output lasing with pulse wavelength of 1.3μm at room-temperature.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hasan, R. M.& Mashari, C. A.& Isa, S. I.. 2012. Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences،Vol. 20, no. 5, pp.1621-1633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-341299
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hasan, R. M.…[et al.]. Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences Vol. 20, no. 5 (2012), pp.1621-1633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-341299
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hasan, R. M.& Mashari, C. A.& Isa, S. I.. Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences. 2012. Vol. 20, no. 5, pp.1621-1633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-341299
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 1632-1633
رقم السجل
BIM-341299
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر