Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers
Joint Authors
Isa, S. I.
Hasan, R. M.
Mashari, C. A.
Source
Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences
Issue
Vol. 20, Issue 5 (31 Dec. 2012), pp.1621-1633, 13 p.
Publisher
Publication Date
2012-12-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
13
Main Subjects
Abstract AR
بالاستناد على نظرية تذبذبات الاسترخاء في ليزر النقاط الكمية (QDs) لشبه الموصل القائمة على رؤية مجهريه من قبل K.
Ludge و مشاركيها (2008) كنموذج أساسي استخدم في هذا العمل.
نقدم صيغ جديد لمعدلات الاستطارة اللاخطية من خلال استخدام دوال المنحنى الملائمة.
يمكننا أن نناقش تأثير القيم المختلفة لكثافة QD على حركية خرج الليزر بشكل مفصل من خلال نتائج النظرية.
أخذت دراستنا بنظر الاعتبار اعتماد معدلات استطارة حامل-حامل على تيار الحقن.
قدمنا محاكاة نظرية لخصائص و حركيات بدء التشغيل لفعل الليزر الناتج من ليزر النقطة الكمية QD لشبه الموصل نوع InAs / GaAs النبضي بطول موجة µm 1,3 عند درجة الحرارة الغرفة.
Abstract EN
Based on the relaxation oscillations theory in semiconductor lasers of Quantum dots (QDs) based on a microscopic approach by K.
Lüdge et.al (2008) as a basic model used in this work.
We introduce a new expression of nonlinear scattering rates by using the curve fitting functions.
We can discuss the influence of different values of the QD density upon the dynamic of laser output in detail of our simulations results.
By taking into account, we study the dependence of the carrier-carrier scattering rates on the injection current.
We present a theoretical simulation of characteristics and the turn-on dynamics of InAs / GaAs semiconductor QD laser output lasing with pulse wavelength of 1.3μm at room-temperature.
American Psychological Association (APA)
Hasan, R. M.& Mashari, C. A.& Isa, S. I.. 2012. Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences،Vol. 20, no. 5, pp.1621-1633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-341299
Modern Language Association (MLA)
Hasan, R. M.…[et al.]. Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences Vol. 20, no. 5 (2012), pp.1621-1633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-341299
American Medical Association (AMA)
Hasan, R. M.& Mashari, C. A.& Isa, S. I.. Turn-on dynamic with nonlinear carriers scattering rates in InAs GaAs QD lasers. Journal of Babylon University : Journal of Applied and Pure Sciences. 2012. Vol. 20, no. 5, pp.1621-1633.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-341299
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 1632-1633
Record ID
BIM-341299
