Design and simulation of differential transimpedance amplifier (TIA) based on 0.18 μm CMOS technology
العناوين الأخرى
تصميم و محاكاة مكبر الممانعة التفاضلية المبنية على تقنية 0.18 μm CMOS
المؤلفون المشاركون
Ali, Luqman Safar
Zaki, Muna Samir
المصدر
al-Rafidain Engineering Journal
العدد
المجلد 21، العدد 4 (31 أغسطس/آب 2013)، ص ص. 121-130، 10ص.
الناشر
تاريخ النشر
2013-08-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
مكبر الممانعة نفذ باستخدام تقنية 0.18 μm CMOS.
و استخدم في هذا المكبر تغذية خلفية نوع توازي-توازي، و تمت الاستعانة بمكبر الممانعة التفاضلية لأن عرض الحزمة فيه أعلى مما هو في التقليدي، كما أن المكبر ذو كسب متغير لزيادة عرض حزمة التردد للمكبر.
حيث بلغ أعلى كسب للمكبر 73 dBὨ و بعرض حزمة ترددية 3.1 GHZ و بمعدل نقل بيانات 5 Gb / s ، و ضوضاء تيار الإدخال 5 Pa / √HZ.
و بلغ الانحراف الزمني (to peak (jitter) peak) 5 ps عند معدل نقل بيانات 5 Gb / s .
الملخص EN
In an optical communication system, optoelectronic receiver, which consists of a photo detector and a trans impedance amplifier, is used to convert the optical signals into electrical signals in the front end.
Figure (1) shows the system block diagram of optical fiber communication [1].
A tele-and data-communications are developed rapidly.
Optic-fiber networks are widely implemented and the data speeds of the systems get higher and higher.
Accordingly, ultra-high speed ICs for different systems is needed.
Up to now, however, most ICs at gigabit per second are manufactured in GaAs and bipolar Silicon technologies at higher cost.
As the feature size getting smaller, CMOS technologies begin to take an important role in high performance and high speed ICs.
Nowadays, a feature size of 0.35-, 0.25-, and 0.18-μm CMOS technologies are available.
The simulated unity current gain cut off frequency (fT) of the above sub-micron CMOS technologies are 13.5-, 18.6-, and 49-GHz, respectively.
Conservatively, a transistor can be operated at the frequency of fT / 10.
Thus, these submicron CMOS technologies can be used in the ICs with upper frequencies of 1.35-, 1.86-, and 4.9-GHz, respectively.
Further, 1-Hz frequency band can carries approximately 2 bit data, resulting in the highest bit rates of > 2.5-, > 3.5-, and ≈ 10 Gb / s for three sub-micron CMOS technologies.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ali, Luqman Safar& Zaki, Muna Samir. 2013. Design and simulation of differential transimpedance amplifier (TIA) based on 0.18 μm CMOS technology. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 21, no. 4, pp.121-130.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-343241
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ali, Luqman Safar& Zaki, Muna Samir. Design and simulation of differential transimpedance amplifier (TIA) based on 0.18 μm CMOS technology. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 21, no. 4 (Aug. 2013), pp.121-130.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-343241
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ali, Luqman Safar& Zaki, Muna Samir. Design and simulation of differential transimpedance amplifier (TIA) based on 0.18 μm CMOS technology. al-Rafidain Engineering Journal. 2013. Vol. 21, no. 4, pp.121-130.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-343241
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 130
رقم السجل
BIM-343241
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر