The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system
العناوين الأخرى
اعتماد عامل النفوذ لتنفق الرنيني على عرض البئر و عدد الحواجز في نظام التركيبة النانوية من GaNAl0.3Ga0.7N
المؤلفون المشاركون
Rusan, Rida Hazzam
al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida
المصدر
العدد
المجلد 11، العدد 21 (30 يونيو/حزيران 2013)، ص ص. 108-115، 8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2013-06-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
تم البحث باستخدام الحساب العددي في تعيين عامل النفوذية و طاقات التنفق الرنيني للتركيبة غير المتجانسة متعددة الحواجز.
و كذلك أخذنا بنظر الاعتبار نظام الشبيكة الفائقة نوع GaN / Al0.3Ga0.7N لتخمين احتمالية التنفق عند قيم الطاقة المعينة، و التي هي أقل من ارتفاع حاجز الجهد.
و قد تم تعيين عامل النفاذية من خلال استخدام طريقة مصفوفة الانتقال و بناء عليه الطاقات الرنينية المستخرجة من علاقة عامل النفوذية .إن تأثيرات كل من عرض البئر و عدد الحواجز قد لوحظت و نوقشت.
إن عدد قمم التنفق الرنيني تزداد بصورة عامة و تصبح أكثر حدة مع زيادة عدد الحواجز.
و أن المستويات الطاقية في التنفق الرنيني تزاح إلى داخل عمق البئر و العكس صحيح.
هذه الصور بالإضافة إلى معامل النفوذ بوصفه دالة للجسيمات الطاقية الساقطة على الحاجز تلعب بالنسبة للحالة الأولى قاعدة مهمة في تصنيع نبائط عالية السرعة و الحالة الثانية بمثابة عامل جيد في تعيين نسبة القمة إلى الوادي في نبائط التنفق الرنيني على التوالي.
الملخص EN
A numerical computation for determination transmission coefficient and resonant tunneling energies of multibarriers heterostructure has been investigated.
Also, we have considered GaN / Al0.3Ga0.7N superlattice system to estimate the probability of resonance at specific energy values, which are less than the potential barrier height.
The transmission coefficient is determined by using the transfer matrix method and accordingly the resonant energies are obtained from the T(E) relation.
The effects of both well width and number of barriers (N) are observed and discussed.
The numbers of resonant tunneling peaks are generally increasing and they become sharper with the increasing of N.
The resonant tunneling levels are shifted inside the well by increasing the well width and vice versa.
These features and the transmission coefficient as a function of incident energetic particles play an important role in fabrication of high speed devices and a good factor for determination the peak-to-valley ratio of resonant tunneling devices respectively.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Rusan, Rida Hazzam& al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida. 2013. The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system. Iraqi Journal of Physics،Vol. 11, no. 21, pp.108-115.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-344049
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Rusan, Rida Hazzam& al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida. The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system. Iraqi Journal of Physics Vol. 11, no. 21 (2013), pp.108-115.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-344049
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Rusan, Rida Hazzam& al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida. The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system. Iraqi Journal of Physics. 2013. Vol. 11, no. 21, pp.108-115.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-344049
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 115
رقم السجل
BIM-344049
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر