![](/images/graphics-bg.png)
The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system
Other Title(s)
اعتماد عامل النفوذ لتنفق الرنيني على عرض البئر و عدد الحواجز في نظام التركيبة النانوية من GaNAl0.3Ga0.7N
Joint Authors
Rusan, Rida Hazzam
al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida
Source
Issue
Vol. 11, Issue 21 (30 Jun. 2013), pp.108-115, 8 p.
Publisher
University of Baghdad College of Science
Publication Date
2013-06-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
8
Main Subjects
Topics
Abstract AR
تم البحث باستخدام الحساب العددي في تعيين عامل النفوذية و طاقات التنفق الرنيني للتركيبة غير المتجانسة متعددة الحواجز.
و كذلك أخذنا بنظر الاعتبار نظام الشبيكة الفائقة نوع GaN / Al0.3Ga0.7N لتخمين احتمالية التنفق عند قيم الطاقة المعينة، و التي هي أقل من ارتفاع حاجز الجهد.
و قد تم تعيين عامل النفاذية من خلال استخدام طريقة مصفوفة الانتقال و بناء عليه الطاقات الرنينية المستخرجة من علاقة عامل النفوذية .إن تأثيرات كل من عرض البئر و عدد الحواجز قد لوحظت و نوقشت.
إن عدد قمم التنفق الرنيني تزداد بصورة عامة و تصبح أكثر حدة مع زيادة عدد الحواجز.
و أن المستويات الطاقية في التنفق الرنيني تزاح إلى داخل عمق البئر و العكس صحيح.
هذه الصور بالإضافة إلى معامل النفوذ بوصفه دالة للجسيمات الطاقية الساقطة على الحاجز تلعب بالنسبة للحالة الأولى قاعدة مهمة في تصنيع نبائط عالية السرعة و الحالة الثانية بمثابة عامل جيد في تعيين نسبة القمة إلى الوادي في نبائط التنفق الرنيني على التوالي.
Abstract EN
A numerical computation for determination transmission coefficient and resonant tunneling energies of multibarriers heterostructure has been investigated.
Also, we have considered GaN / Al0.3Ga0.7N superlattice system to estimate the probability of resonance at specific energy values, which are less than the potential barrier height.
The transmission coefficient is determined by using the transfer matrix method and accordingly the resonant energies are obtained from the T(E) relation.
The effects of both well width and number of barriers (N) are observed and discussed.
The numbers of resonant tunneling peaks are generally increasing and they become sharper with the increasing of N.
The resonant tunneling levels are shifted inside the well by increasing the well width and vice versa.
These features and the transmission coefficient as a function of incident energetic particles play an important role in fabrication of high speed devices and a good factor for determination the peak-to-valley ratio of resonant tunneling devices respectively.
American Psychological Association (APA)
Rusan, Rida Hazzam& al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida. 2013. The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system. Iraqi Journal of Physics،Vol. 11, no. 21, pp.108-115.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-344049
Modern Language Association (MLA)
Rusan, Rida Hazzam& al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida. The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system. Iraqi Journal of Physics Vol. 11, no. 21 (2013), pp.108-115.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-344049
American Medical Association (AMA)
Rusan, Rida Hazzam& al-Zaydi, Muwaffaq Kazim Abd al-Rida. The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN Al0.3Ga0.7N nanostructured system. Iraqi Journal of Physics. 2013. Vol. 11, no. 21, pp.108-115.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-344049
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 115
Record ID
BIM-344049