An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer
العناوين الأخرى
التحقق عن الخصائص الكهربائية لـ (p-n) من طبقة السليكون المسامي
المؤلفون المشاركون
Ulwan, Ulwan M.
Jawad, Muna Salih Muhammad
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 31، العدد 7 (31 مايو/أيار 2013)، ص ص. 867-878، 12ص.
الناشر
تاريخ النشر
2013-05-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
12
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث قمنا بدراسة الخصائص الكهربائية لطبقة السيليكون المسامي نوع (p-n) المحضر من طبقة السليكون المسامي بأزمان تنميش مختلفة و بطريقة التنميش الكهروكيميائي–الضوئي (PEC).
و من خلال منحنيات تيار–جهد بالظلام أعطى قيم تقويم عالية تمتلك قيم واسعة كدالة لزمن التنميش و خصوصا عند أزمان تنميش قليلة.
عند زيادة زمن التنميش لحد كبير أدى إلى ظهور السلوك اللا تقويمي في عينات (p-n).
إن قيم التيار–الضوئي عند أزمنة التنميش القليلة أعطى قيمة صغيرة جدا مقارنة مع القيم الأخرى عند زيادة زمن التنميش.
لذا فإن استخدام أزمنة تنميش عالية تولد لنا عينات (p-n) لا تصلح لعمل الثنائيات الباعثة لضوء على العكس مع أزمنة التنميش القليلة التي تصلح لإنتاج الثنائيات الباعثة للضوء.
الملخص EN
In this work, we studied the electrical properties of (p-n) porous silicon layer under different etching time.
The (p-n) porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching process.
The dark I-V characteristics ; give us rectification ratio with wide range as a function to etching time.
A high value for the rectification behavior is related for etched samples at low etching time.
While the increasing of etching time to high value show a non rectification behavior in (p-n) porous samples.
The values of the photocurrent for (p-n) porous sample at low etching time has very small value compared with the other (p-n) porous silicon samples at high etching time and this behavior in PSi layer in high etching time cannot be employed light emitting diode applications.
While the layer prepared at low etching time is well suitable for light emitting device.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna Salih Muhammad. 2013. An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer. Engineering and Technology Journal،Vol. 31, no. 7, pp.867-878.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346186
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna Salih Muhammad. An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer. Engineering and Technology Journal Vol. 31, no. 7 A (2013), pp.867-878.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346186
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna Salih Muhammad. An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer. Engineering and Technology Journal. 2013. Vol. 31, no. 7, pp.867-878.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346186
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 878
رقم السجل
BIM-346186
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر