An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer
Other Title(s)
التحقق عن الخصائص الكهربائية لـ (p-n) من طبقة السليكون المسامي
Joint Authors
Ulwan, Ulwan M.
Jawad, Muna Salih Muhammad
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 31, Issue 7 (31 May. 2013), pp.867-878, 12 p.
Publisher
Publication Date
2013-05-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
12
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث قمنا بدراسة الخصائص الكهربائية لطبقة السيليكون المسامي نوع (p-n) المحضر من طبقة السليكون المسامي بأزمان تنميش مختلفة و بطريقة التنميش الكهروكيميائي–الضوئي (PEC).
و من خلال منحنيات تيار–جهد بالظلام أعطى قيم تقويم عالية تمتلك قيم واسعة كدالة لزمن التنميش و خصوصا عند أزمان تنميش قليلة.
عند زيادة زمن التنميش لحد كبير أدى إلى ظهور السلوك اللا تقويمي في عينات (p-n).
إن قيم التيار–الضوئي عند أزمنة التنميش القليلة أعطى قيمة صغيرة جدا مقارنة مع القيم الأخرى عند زيادة زمن التنميش.
لذا فإن استخدام أزمنة تنميش عالية تولد لنا عينات (p-n) لا تصلح لعمل الثنائيات الباعثة لضوء على العكس مع أزمنة التنميش القليلة التي تصلح لإنتاج الثنائيات الباعثة للضوء.
Abstract EN
In this work, we studied the electrical properties of (p-n) porous silicon layer under different etching time.
The (p-n) porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching process.
The dark I-V characteristics ; give us rectification ratio with wide range as a function to etching time.
A high value for the rectification behavior is related for etched samples at low etching time.
While the increasing of etching time to high value show a non rectification behavior in (p-n) porous samples.
The values of the photocurrent for (p-n) porous sample at low etching time has very small value compared with the other (p-n) porous silicon samples at high etching time and this behavior in PSi layer in high etching time cannot be employed light emitting diode applications.
While the layer prepared at low etching time is well suitable for light emitting device.
American Psychological Association (APA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna Salih Muhammad. 2013. An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer. Engineering and Technology Journal،Vol. 31, no. 7, pp.867-878.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346186
Modern Language Association (MLA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna Salih Muhammad. An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer. Engineering and Technology Journal Vol. 31, no. 7 A (2013), pp.867-878.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346186
American Medical Association (AMA)
Ulwan, Ulwan M.& Jawad, Muna Salih Muhammad. An investigation of electrical properties of (p-n) porous silicon layer. Engineering and Technology Journal. 2013. Vol. 31, no. 7, pp.867-878.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-346186
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 878
Record ID
BIM-346186