Electron transfer at semiconductor liquid interfaces

العناوين الأخرى

الانتقال الإلكتروني عند سطوح شبه الموصل سائل

المؤلفون المشاركون

al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal
al-Ubaydi, Rafah Ismail Nuri

المصدر

Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science

العدد

المجلد 22، العدد 2 (30 يونيو/حزيران 2009)9ص.

الناشر

جامعة بغداد كلية التربية ابن الهيثم

تاريخ النشر

2009-06-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

9

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

الملخص EN

Electron Transfer reaction rate constants at Semiconductor / Liquid interfaces are calculated dy using the Fermi Golden Rule for Semiconductor.

The reorganization energy eV is computed for Semiconductor / Liquid Interfaces system in two solvents and compared with experimental value.

The driving force (free energy) ΔGo(eV) is calculated depending on spectrum Ru(H2L`)2 (NCS)2 .

The transfer is treated according with weak coupling (nonadiabatic) for two – state level between the Semiconductor and acceptor molecule state.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& al-Ubaydi, Rafah Ismail Nuri. 2009. Electron transfer at semiconductor liquid interfaces. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science،Vol. 22, no. 2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-354795

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& al-Ubaydi, Rafah Ismail Nuri. Electron transfer at semiconductor liquid interfaces. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science Vol. 22, no. 2 (2009).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-354795

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& al-Ubaydi, Rafah Ismail Nuri. Electron transfer at semiconductor liquid interfaces. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science. 2009. Vol. 22, no. 2.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-354795

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes appendices.

رقم السجل

BIM-354795