Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch

المؤلفون المشاركون

Muntasir, K. I.
Kamh, S. A.
Sulayman. F. A. S.
Abd al-Maqsud, A. M.

المصدر

The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering

العدد

المجلد 27، العدد 2B (31 أكتوبر/تشرين الأول 2002)، ص ص. 179-188، 10ص.

الناشر

جامعة الملك فهد للبترول و المعادن

تاريخ النشر

2002-10-31

دولة النشر

السعودية

عدد الصفحات

10

التخصصات الرئيسية

الهندسة الكهربائية

الموضوعات

الملخص AR

نعرض في هذا البحث محاولة لتحسين خصائص استجابة المفاتيح الإلكترونية من السيلكون عند تطبيق استخدام ترانزستور ثنائي الوصلة مستخدما تقنية التهجين, حيث أثبتت التجارب العملية و المعالجات الرياضية نجاح تحسين أزمنة استجابة المفتاح الإلكتروني عند استخدام التجارب العملية و المعالجات الرياضية نجاح تحسين أزمنة استجابة المفتاح الإلكتروني عند استخدام موحد ثنائي الاختراق لزيادة العزل بين كل من دخل المفتاح و خرجه.

و نتيجة لذلك فإن قيمة كل من زمن الصعود (الفتح) و الهبوط (الغلق) للمفتاح قد هبطت, حيث تم تسجيل قيم (80) و (72) نانوثانية على التوالي من أصل قيم (980) و (80) نانوثانية سجلت للمفتاح في وضع التشغيل العادي.

أما فيما يختص بسعة إشارة الخرج فقد وجدت دالة في قيم المقاومة الرجوعية للدائرة المقترحة, حيث لوحظ أنه عند مقاومة مقدارها (1.33) كيلو أوم أمكن الحصول على سعة إشارة خرج مساوية لسعة دخل الإشارة.

و في الجانب الآخر وجد أنه قد تحقق عمل المفتاح الإلكتروني بنفس الخصائص المحسنة عند قيمة مقاومة رجوعية مقدارها (2) كيلو أوم. و أخيرا, فقد أثبتت المعالجة الرياضية لزمني الصعود و الهبوط باستخدام تقنية التهجين للحصول على قيم أزمنة استجابة ممتازة تبلغ (1) و (0.19) نانوثانية على الترتيب.

الملخص EN

The present paper discusses a trial to improve the transient times of a silicon bipolar junction transistor switch using the hybrid technique model.

The performance of the transistor switch was greatly enhanced when a tunnel diode was used to provide isolation between input and output of the switch.

As a result, the rise- and fall-time values of 980 and 80 ns, were shown to become 80 and 72 ns, respectively.

Finally, the output signal amplitude of the proposed system was found to be a function of the feedback resistor where a resistance value of 1.33 kW ensures equal input and output signals.

On the other hand, a feedback resistor value of 2 kW ensures normal switch operation with same improved switching characteristics.

Finally, theoretical calculations of both times applications of hybrid technique show excellent values of 10 ´ 10–10 s and 1.9 ´ 10–10 s, respectively.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Muntasir, K. I.& Kamh, S. A.& Sulayman. F. A. S.& Abd al-Maqsud, A. M.. 2002. Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering،Vol. 27, no. 2B, pp.179-188.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-360056

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Muntasir, K. I.…[et al.]. Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering Vol. 27, no. 2B (Oct. 2002), pp.179-188.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-360056

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Muntasir, K. I.& Kamh, S. A.& Sulayman. F. A. S.& Abd al-Maqsud, A. M.. Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering. 2002. Vol. 27, no. 2B, pp.179-188.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-360056

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 188

رقم السجل

BIM-360056