Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch
Joint Authors
Muntasir, K. I.
Kamh, S. A.
Sulayman. F. A. S.
Abd al-Maqsud, A. M.
Source
The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering
Issue
Vol. 27, Issue 2B (31 Oct. 2002), pp.179-188, 10 p.
Publisher
King Fahd University of Petroleum and Minerals
Publication Date
2002-10-31
Country of Publication
Saudi Arabia
No. of Pages
10
Main Subjects
Topics
Abstract AR
نعرض في هذا البحث محاولة لتحسين خصائص استجابة المفاتيح الإلكترونية من السيلكون عند تطبيق استخدام ترانزستور ثنائي الوصلة مستخدما تقنية التهجين, حيث أثبتت التجارب العملية و المعالجات الرياضية نجاح تحسين أزمنة استجابة المفتاح الإلكتروني عند استخدام التجارب العملية و المعالجات الرياضية نجاح تحسين أزمنة استجابة المفتاح الإلكتروني عند استخدام موحد ثنائي الاختراق لزيادة العزل بين كل من دخل المفتاح و خرجه.
و نتيجة لذلك فإن قيمة كل من زمن الصعود (الفتح) و الهبوط (الغلق) للمفتاح قد هبطت, حيث تم تسجيل قيم (80) و (72) نانوثانية على التوالي من أصل قيم (980) و (80) نانوثانية سجلت للمفتاح في وضع التشغيل العادي.
أما فيما يختص بسعة إشارة الخرج فقد وجدت دالة في قيم المقاومة الرجوعية للدائرة المقترحة, حيث لوحظ أنه عند مقاومة مقدارها (1.33) كيلو أوم أمكن الحصول على سعة إشارة خرج مساوية لسعة دخل الإشارة.
و في الجانب الآخر وجد أنه قد تحقق عمل المفتاح الإلكتروني بنفس الخصائص المحسنة عند قيمة مقاومة رجوعية مقدارها (2) كيلو أوم. و أخيرا, فقد أثبتت المعالجة الرياضية لزمني الصعود و الهبوط باستخدام تقنية التهجين للحصول على قيم أزمنة استجابة ممتازة تبلغ (1) و (0.19) نانوثانية على الترتيب.
Abstract EN
The present paper discusses a trial to improve the transient times of a silicon bipolar junction transistor switch using the hybrid technique model.
The performance of the transistor switch was greatly enhanced when a tunnel diode was used to provide isolation between input and output of the switch.
As a result, the rise- and fall-time values of 980 and 80 ns, were shown to become 80 and 72 ns, respectively.
Finally, the output signal amplitude of the proposed system was found to be a function of the feedback resistor where a resistance value of 1.33 kW ensures equal input and output signals.
On the other hand, a feedback resistor value of 2 kW ensures normal switch operation with same improved switching characteristics.
Finally, theoretical calculations of both times applications of hybrid technique show excellent values of 10 ´ 10–10 s and 1.9 ´ 10–10 s, respectively.
American Psychological Association (APA)
Muntasir, K. I.& Kamh, S. A.& Sulayman. F. A. S.& Abd al-Maqsud, A. M.. 2002. Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering،Vol. 27, no. 2B, pp.179-188.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-360056
Modern Language Association (MLA)
Muntasir, K. I.…[et al.]. Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering Vol. 27, no. 2B (Oct. 2002), pp.179-188.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-360056
American Medical Association (AMA)
Muntasir, K. I.& Kamh, S. A.& Sulayman. F. A. S.& Abd al-Maqsud, A. M.. Experimental and theoretical investigations of switching characteristics of an ultra fast bipolar transistor switch. The Arabian Journal for Science and Engineering. Section B, Engineering. 2002. Vol. 27, no. 2B, pp.179-188.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-360056
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 188
Record ID
BIM-360056
