الرئيسية نتائج البحث

Numerical analysis of GaAs MESFETs OPFET

المؤلفون المشاركون

Zaabat, M.
Saidi, Y.
Hamma, I.
Azizi, C.

المصدر

Journal of New Technology and Materials / Larbi Ben M'hidi Oum el-Bouaghi University.

الناشر

جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي

تاريخ النشر

2011-12-31

دولة النشر

الجزائر

عدد الصفحات

4

التخصصات الرئيسية

الهندسة الكهربائية

الملخص الإنجليزي

A Tow dimensional numerical model of channel potential for GaAs MESFET (Metal semiconductor field effect transistor) doped uniformly.

The model takes into acount the effects in channel region considering both the photoconductive effect and photovoltaic effect at the gate schottky.

The 2-D potential distribution function in the active layer of the divice is solved numerically under dark and illumination condition.

نوع البيانات

أوراق مؤتمرات

رقم السجل

BIM-367306

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Hamma, I.& Saidi, Y.& Zaabat, M.& Azizi, C.. 2011-12-31. Numerical analysis of GaAs MESFETs OPFET. International Conference on New Materials and Active Devices (1st : 2011 : Umm al-Bawaqi, Algeria). . Vol. 1, no. 00 (Dec. 2011), pp.59-62.Oum el-Bouaghi Algeria : Larbi Ben M'hidi Oum el-Bouaghi University.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-367306

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Hamma, I.…[et al.]. Numerical analysis of GaAs MESFETs OPFET. . Oum el-Bouaghi Algeria : Larbi Ben M'hidi Oum el-Bouaghi University. 2011-12-31.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-367306

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Hamma, I.& Saidi, Y.& Zaabat, M.& Azizi, C.. Numerical analysis of GaAs MESFETs OPFET. . International Conference on New Materials and Active Devices (1st : 2011 : Umm al-Bawaqi, Algeria).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-367306

حفظتم الحفظ طباعة
© 2024 عالم المعرفة للمحتوى الرقمي. جميع الحقوق محفوظة.