![](/images/graphics-bg.png)
A new drain current I-V model for MESFET with submicron gate
المؤلفون المشاركون
المصدر
Journal of New Technology and Materials
العدد
المجلد 3، العدد 1 (30 يونيو/حزيران 2013)، ص ص. 28-32، 5ص.
الناشر
جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي
تاريخ النشر
2013-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
In this work we present a new nonlinear approach for the calculation of the static characteristics of MESFET GaAs with submicron gate.
First, we compare the results of the numerical simulations of the three main models for the MESFETs with submicron gate : Ahmed [1], Islam [2] and Memon [3] with experimental results.
Then we propose a new approach that takes into account the surface states of the Schottky junction through a new mobility law for the determination of the output characteristics.
The thermal effect is also represented in the mobility law.
The comparison of our model with the three previous models referring to the experimental data shows that our approach gives the most accuracy result.
Also, the proposed model can be used in the case of logic or analog circuits based on submicron GaAs MESFET.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Azizi, M.& Azizi, C.. 2013. A new drain current I-V model for MESFET with submicron gate. Journal of New Technology and Materials،Vol. 3, no. 1, pp.28-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-368190
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Azizi, M.& Azizi, C.. A new drain current I-V model for MESFET with submicron gate. Journal of New Technology and Materials Vol. 3, no. 1 (2013), pp.28-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-368190
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Azizi, M.& Azizi, C.. A new drain current I-V model for MESFET with submicron gate. Journal of New Technology and Materials. 2013. Vol. 3, no. 1, pp.28-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-368190
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 32
رقم السجل
BIM-368190
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)