Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition

العناوين الأخرى

تحضير و دراسة التركيب لـ SnO2 MOM باستخدام ترسيب التفريغ الحراري

تاريخ النشر

2014-02-28

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

التخصصات الرئيسية

الهندسة الكهربائية

الملخص AR

الذاكرة العشوائية المعتمدة على التغير في المقاومة هي إحدى التقنيات الحديثة للذاكرة غير المتطايرة و لها مستقبل واعد في قدرتها على استبدال الذاكرة الحالية المستخدمة نوع فلاش.

في هذا البحث تمت الدراسة بشكل مفصل لأنواع هذه الذاكرة حسب طريقة عملها و كذلك آلية الخلية و التغير الذي يطرأ عليها عند تغير قيمة مقاومتها.

تم ترسيب SnO2 بطريقة التبخير الحراري في درجة حرارة الغرفة و على سطح مكون من Al/glass و كذلك الطبقة العليا كانت ألمنيوم.

و قد أخذت قياسات الخصائص الضوئية لسطح SnO2 و كذلك الطبقة العليا كانت ألمنيوم.

و قد أخذت قياسات الخصائص الضوئية لسطح Sno2 لقياس فجوة الطاقة.

التغير في المقاومة تم ملاحظته عند أخذ قياسات التيار مع الفولتيه في درجة حرارة الغرفة.

وقد أظهرت خلية الذاكرة تغير في المقاومة نوع أحادي الفولتيه مع عدم وجود تداخل بين فولتيات العمل ( (reset, set بما يقارب 1.5V, 2.5V)) كذلك كانت قيمة المقاومة العليا و الدنيا 106 Ω , 7.7 K Ω)).

وقد أظهرت هذه الذاكرة المصنع تكرارا بحدود (21) دورة وديمومة للمعلومة مع نسبة للمقاومة العليا إلى و المقاومة الدنيا و بأسواء الظروف بحدود (41).

الملخص EN

Resistive switching random access memory is one of the novel nonvolatile memory technologies that, has a promising future for replacing the conventional FLASH memory.

In this work a detailed study made about the types of operations and understanding the mechanisms of the resistance changing in the device.

SnO2 thin films are deposited by using Thermal Vacuum Evaporation deposition method at room temperature on Al / glass substrate to produce Al / SnO2 / Al / glass device structure.

Optical properties are taken to measure the optical band gap of SnO2.

Resistive switching is observed by taking current voltage readings at room temperature.

RRAM cell showed unipolar resistive switching behavior with no overlapping between reset and set voltage (1.5V, 2.5V respectively), also between high and low resistance states (7.7KΩ, 106Ω).

Good retention and endurance are obtained and the ratio between HRS to LRS has been found to be at least (41) within 21 cycles.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Ali, Luqman Safar& Ghazal, Umar Ghanim. 2014. Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 22, no. 1, pp.99-111.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-373205

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Ali, Luqman Safar& Ghazal, Umar Ghanim. Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 22, no. 1 (Feb. 2014), pp.99-111.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-373205

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Ali, Luqman Safar& Ghazal, Umar Ghanim. Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition. al-Rafidain Engineering Journal. 2014. Vol. 22, no. 1, pp.99-111.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-373205

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 110-111

رقم السجل

BIM-373205

حفظتم الحفظ طباعة

قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"

أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي

مرصد "معرفة"
لقياس الإنتاج العلمي العربي

تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر