Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition
Other Title(s)
تحضير و دراسة التركيب لـ SnO2 MOM باستخدام ترسيب التفريغ الحراري
Joint Authors
Ali, Luqman Safar
Ghazal, Umar Ghanim
Source
al-Rafidain Engineering Journal
Issue
Vol. 22, Issue 1 (28 Feb. 2014), pp.99-111, 13 p.
Publisher
University of Mosul College of Engineering
Publication Date
2014-02-28
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
13
Main Subjects
Abstract AR
الذاكرة العشوائية المعتمدة على التغير في المقاومة هي إحدى التقنيات الحديثة للذاكرة غير المتطايرة و لها مستقبل واعد في قدرتها على استبدال الذاكرة الحالية المستخدمة نوع فلاش.
في هذا البحث تمت الدراسة بشكل مفصل لأنواع هذه الذاكرة حسب طريقة عملها و كذلك آلية الخلية و التغير الذي يطرأ عليها عند تغير قيمة مقاومتها.
تم ترسيب SnO2 بطريقة التبخير الحراري في درجة حرارة الغرفة و على سطح مكون من Al/glass و كذلك الطبقة العليا كانت ألمنيوم.
و قد أخذت قياسات الخصائص الضوئية لسطح SnO2 و كذلك الطبقة العليا كانت ألمنيوم.
و قد أخذت قياسات الخصائص الضوئية لسطح Sno2 لقياس فجوة الطاقة.
التغير في المقاومة تم ملاحظته عند أخذ قياسات التيار مع الفولتيه في درجة حرارة الغرفة.
وقد أظهرت خلية الذاكرة تغير في المقاومة نوع أحادي الفولتيه مع عدم وجود تداخل بين فولتيات العمل ( (reset, set بما يقارب 1.5V, 2.5V)) كذلك كانت قيمة المقاومة العليا و الدنيا 106 Ω , 7.7 K Ω)).
وقد أظهرت هذه الذاكرة المصنع تكرارا بحدود (21) دورة وديمومة للمعلومة مع نسبة للمقاومة العليا إلى و المقاومة الدنيا و بأسواء الظروف بحدود (41).
Abstract EN
Resistive switching random access memory is one of the novel nonvolatile memory technologies that, has a promising future for replacing the conventional FLASH memory.
In this work a detailed study made about the types of operations and understanding the mechanisms of the resistance changing in the device.
SnO2 thin films are deposited by using Thermal Vacuum Evaporation deposition method at room temperature on Al / glass substrate to produce Al / SnO2 / Al / glass device structure.
Optical properties are taken to measure the optical band gap of SnO2.
Resistive switching is observed by taking current voltage readings at room temperature.
RRAM cell showed unipolar resistive switching behavior with no overlapping between reset and set voltage (1.5V, 2.5V respectively), also between high and low resistance states (7.7KΩ, 106Ω).
Good retention and endurance are obtained and the ratio between HRS to LRS has been found to be at least (41) within 21 cycles.
American Psychological Association (APA)
Ali, Luqman Safar& Ghazal, Umar Ghanim. 2014. Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 22, no. 1, pp.99-111.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-373205
Modern Language Association (MLA)
Ali, Luqman Safar& Ghazal, Umar Ghanim. Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 22, no. 1 (Feb. 2014), pp.99-111.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-373205
American Medical Association (AMA)
Ali, Luqman Safar& Ghazal, Umar Ghanim. Preparation and study of SnO2 MOM structure by the thermal vacuum evaporation deposition. al-Rafidain Engineering Journal. 2014. Vol. 22, no. 1, pp.99-111.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-373205
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 110-111
Record ID
BIM-373205
